图像形成装置以及图像形成方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111694249A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201911142113.4

    申请日:2019-11-20

    发明人: 古山昇

    IPC分类号: G03G15/20

    摘要: 本发明公开了图像形成装置以及图像形成方法,图像形成装置具备加热装置、存储装置、周期检测装置、占空比控制装置。加热装置被供给两种以上的周期中的任一个的交流电力而发热,将转印于介质的色调剂加热而定影于介质,从而形成图像。存储装置根据两种以上的占空比的分辨率,针对每个交流电力的周期,存储分别示出是否对加热装置供给交流电力的多个模式。周期检测装置检测被供给的交流电力的周期。占空比控制装置根据温度检测传感器的温度检测结果,读取所存储的多个模式中的任一个,根据所读取的多个模式中的任一个,与所检测出的交流电力的周期同步地控制供给到加热装置的交流电力的占空比。

    定影装置以及图像形成装置

    公开(公告)号:CN108333896B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201711173987.7

    申请日:2017-11-22

    IPC分类号: G03G15/20

    摘要: 本发明涉及一种定影装置以及图像形成装置,热导率高且温度的不均少。定影装置包括:线圈;与线圈相邻且包括受到线圈的磁通而发热的发热层的定影带;至少一部分与定影带从内侧接触且受到线圈所产生的磁通而发热的辅助发热材料。而且,还具有屏蔽材料,至少一部分从内侧与辅助发热材料接触,且屏蔽线圈所产生的磁通,且具有作为从屏蔽材料的内部接触辅助发热材料的通路的第一开口部和位于相对于与定影带的旋转方向正交的通过线圈的中心点的轴与第一开口部大致线对称的位置的第二开口部。而且,还具有通过屏蔽材料的第一开口部接触辅助发热材料来检测温度且当检测到的温度超过特定温度时抑制线圈的磁通的安全装置。

    定影装置及图像形成装置

    公开(公告)号:CN110780565A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201910522295.1

    申请日:2019-06-17

    发明人: 古山昇

    IPC分类号: G03G15/20

    摘要: 一种定影装置及图像形成装置,定影装置具有定影用环绕部件、加压部件、定影用衬垫部件、加热器、反射器以及热传导部件。定影用环绕部件构成为环状的周壁能够环绕移动。加压部件配置为与定影用环绕部件的外周面相对,在与定影用环绕部件之间形成夹持部。衬垫部件在定影用环绕部件的夹持部的形成部与定影用环绕部件的内周面抵接。加热器配置在定影用环绕部件的内侧,加热定影用环绕部件。反射器配置在定影用环绕部件的内侧,使加热器的辐射热向定影用环绕部件反射。热传导部件将覆盖衬垫部件的针对定影用环绕部件的按压部的区域与反射器连接,并且由热传导率高于衬垫部件的材料组成。

    图像形成装置及图像形成方法

    公开(公告)号:CN102289180A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201110160931.4

    申请日:2011-06-15

    发明人: 古山昇

    IPC分类号: G03G15/20 G03G15/00

    摘要: 一种图像形成装置及图像形成方法,该图像形成装置包括:图像形成部,用于在记录介质上形成色调剂图像;定影器,用于从两面与形成有色调剂图像的记录介质压力接触,并以规定的定影温度进行加热;存储器,用于存储第一定影温度和高于所述第一定影温度的第二定影温度,所述第一定影温度用于判断能定影单色图像,所述第二定影温度用于判断能定影彩色图像;以及控制器,用于根据所述记录介质的厚度及机体周边温度来校正所述第一定影温度和所述第二定影温度。

    图像形成装置以及控制方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111610706A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010090755.0

    申请日:2020-02-13

    发明人: 古山昇

    IPC分类号: G03G15/20

    摘要: 本发明提供图像形成装置以及控制方法,其在加热器采用电阻值根据温度而变化的材料的图像形成装置中,能够抑制加热器消耗上限值以上的电力。实施方式的图像形成装置具有定影器和控制部。定影器构成为使用温度越低则电阻值越低,温度越高则电阻值越高的发热电阻体。控制部在上述发热电阻体的温度低于规定温度时,以预备通电量对上述发热电阻体通电,在上述发热电阻体的温度高于规定温度时,以比上述预备通电量高的通电量即通常通电量对上述发热电阻体通电。