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公开(公告)号：CN114357813A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210275230.3
申请日：2022-03-21
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 , 中北大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/23 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种锌离子电池枝晶生长状况的仿真方法，该方法包括以下步骤：设计锌离子电池二维几何模型；输入模型参数，构建锌离子电池电化学瞬态模型；设置模型的物理场边界条件和初始值；根据物理场进行网格剖分；设定仿真模拟的研究条件；根据设置的参数条件进行锌离子电池枝晶生长仿真；根据仿真结果确定锌离子电池负极表面析锌层的厚度变化；通过优化锌离子电池的参数条件，改善电池的枝晶生长状况。本发明提出的锌离子电池的电化学瞬态模型具有较高的有效性和准确性，在电池设计阶段即可对其进行安全评估，预判电池在特定条件下枝晶生长的严重程度和带来的影响，对电池失效性分析和电池综合性能评价等方面有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114171378A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111362226.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 , 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种有效降低金属‑石墨烯接触电阻的方法，本发明在传统的金属‑石墨烯欧姆接触工艺的基础上，通过对结构进行调整，对金属层进行了埋层电极的制作，可以有效地减少因金属与衬底的不平整而造成的石墨烯薄膜的损坏；此外通过对与金属接触的石墨烯区域进行光刻打孔，加入边缘接触的方式，有效地增加了接触面积，可以极大地降低金属‑石墨烯的接触电阻；此外，顶电极与绝缘层之间沉积有Cr层，可以更好的增加金属底电极与绝缘层之间的粘附性，进而增强器件内部结构的稳定性。
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公开(公告)号：CN112082490B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011129953.X
申请日：2020-10-21
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 , 中北大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明属于位移传感器技术领域，具体涉及一种基于Talbot像和COMS相机结构的位移传感器，包括光源、凸透镜、光栅、COMS相机，所述光源设置在凸透镜的焦点处，所述光源发出的散射光通过凸透镜后成为平行光束，所述平行光束的光路方向上设置有光栅，所述平行光束经光栅发生衍射干涉，所述平行光束在光栅后形成Talbot像，所述COMS相机设置在任一级的Talbot像上；本发明通过光学设计使光源位移与Talbot像周期相结合，通过COMS相机对Talbot像周期进行测量进而实现对光源位移的测量，实现位移信号输出，仅使用光源、凸透镜、光栅、COMS相机器件，结构较为简单；同时，通过对Talbot像周期的测量也可实现对光源的准直，进而提高定位精度。本发明用于光微位移的测量。
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公开(公告)号：CN111430857A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010385837.8
申请日：2020-05-09
Applicant: 中北大学 , 中北大学南通智能光机电研究院
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明属于可调滤波器技术领域，具体涉及一种基于MEMS开关的T型可调滤波器，包括衬底，所述衬底上固定有两个镜像设置的T型可调谐振器，所述衬底上设有输入谐振器及输出谐振器。所述T型可调谐振器是由弯折T型谐振器、多个射频MEMS开关和多个接地端子组成，所述T型谐振器的尾部弯折，从而缩短整体尺寸。T型谐振器的头部左右两侧分别设有射频MEMS开关，所述射频MEMS开关另一端分别与接地端子相连，接地端子通过TSV通孔与背面接地层相连。本发明可减小滤波器尺寸，降低系统复杂度，具有体积小、高Q值、低损耗、高带外抑制、易集成等优点。在0.01-22GHz的范围内，有着优越的实用性，实现了MEMS开关与微带线结构的高度集成。本发明用于不同频率的滤波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114495210A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210013502.2
申请日：2022-01-07
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 , 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于注意力机制的姿态变化人脸识别方法，首先对自然场景下带有人脸的图像数据进行标注，并将其分为训练集以及测试集；然后将双面注意力机制模块LA‑SENet引入人脸识别系统，并由此模块突出在姿态变化下的人脸最具有区分性的特征信息；引入LANet模块自动定位最具有区分性的面部区域并且同时引入SENet模块突出更重要的通道；接着设计基于MobileNetV2的倒置多尺度残差结构的Bottleneck‑attention模块，得到三个不同尺度的特征；接着采用多尺度特征融合的方法将不同层的特征进行融合并且使用Concatenate操作进行通道拼接操作，最后经过全连接层输出；最后得到的局部特征在与网络最后输出的全局信息进行融合输出；本发明能够有效学习姿势变化下的人脸特征，提高人脸识别准确率。
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公开(公告)号：CN114291784A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110814293.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 , 中北大学
Abstract: 本发明涉及一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法，包括步骤：S1、获取晶圆；S2、在晶圆的表面沉积牺牲层，牺牲层的材料包括半导体材料；S3、刻蚀牺牲层，在共面波导上形成通孔；S4、在通孔中电镀锚点材料，形成初始锚点；S5、对牺牲层和初始锚点进行抛光处理，形成目标锚点，目标锚点的表面与牺牲层表面平齐；S6、在牺牲层表面电镀上电极，使得上电极与目标锚点接触；S7、释放牺牲层，形成MEMS开关的悬臂梁。该制备方法将大马士革工艺引入到牺牲层的制备过程中，有效改善了MEMS牺牲层的平整度，提高了牺牲层的稳定性，降低了牺牲层的释放时间，提高了生产效率，适用于MEMS开关的量产工作。
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公开(公告)号：CN114142190A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111430191.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 , 中北大学
Abstract: 本发明属于射频MEMS技术领域，具体涉及一种王字型上电极式单刀双掷开关，所述微波传输线、第一驱动电极、第二驱动电极均设置在衬底上；所述第一地线的中部设有间断口，所述第一驱动电极、第二驱动电极分别设置在第一地线的间断口处，所述开关组件设置有两个，所述输入信号线通过两个开关组件分别与第一输出信号线、第二输出信号线连接。本发明的上电极采用王字型结构，从力学方面讲，该结构可以减小上电极的弹性系数，降低上电极下拉所需的静电力，进而降低驱动电压，去除电压后，使得上电极拥有类似于弹簧的回复力，防止了上下电极之间的自吸合，下电极采用了长条形的单触点，增大了与上电极的接触面积，能够提升射频开关的耐受功率。
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公开(公告)号：CN114121693A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111361151.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 , 中北大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及微电子封装热压键合技术领域，具体是一种耐超高温气密封装方法，包括下列步骤：键合采用金属铂作为键合连接材料，且键合材料不混合其他金属材料；先将衬底底片清洗，然后用气相沉积法制备介质层；经过光刻、溅射、剥离制备底电极；利用沉积法在键合凸点铂金属表面制作纳米铂柱阵列；再将基板浸入己烷硫醇溶液中自主装一层防止铂金属表面氧化的阻隔膜，最后采用激光划片的方式将单个微结构分开；将两个带有密封环，键合凸点的结构放入倒装焊机，经焊机自动对准、加热，加压开始键合，最终使两个结构结合到一起。本发明通过Pt‑Pt直接键合形成无氧真空腔，可以在1500℃左右为石墨烯纳米薄膜材料提供无氧和高温防护。
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公开(公告)号：CN111430857B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010385837.8
申请日：2020-05-09
Applicant: 中北大学 , 中北大学南通智能光机电研究院
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明属于可调滤波器技术领域，具体涉及一种基于MEMS开关的T型可调滤波器，包括衬底，所述衬底上固定有两个镜像设置的T型可调谐振器，所述衬底上设有输入谐振器及输出谐振器。所述T型可调谐振器是由弯折T型谐振器、多个射频MEMS开关和多个接地端子组成，所述T型谐振器的尾部弯折，从而缩短整体尺寸。T型谐振器的头部左右两侧分别设有射频MEMS开关，所述射频MEMS开关另一端分别与接地端子相连，接地端子通过TSV通孔与背面接地层相连。本发明可减小滤波器尺寸，降低系统复杂度，具有体积小、高Q值、低损耗、高带外抑制、易集成等优点。在0.01‑22GHz的范围内，有着优越的实用性，实现了MEMS开关与微带线结构的高度集成。本发明用于不同频率的滤波。
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