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公开(公告)号：CN118888424B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411377689.X
申请日：2024-09-30
Applicant: 天津中科晶禾电子科技有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/603 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种磁约束直流等离子体辉光放电装置和键合设备。阴极板具有容纳腔，至少两个阳极棒位于容纳腔内，至少两个阳极棒沿第一方向排列；阴极板包括第一阴极板、第二阴极板和第三阴极板；第二阴极板与第三阴极板沿第二方向相对设置；第二阴极板和第三阴极板均与第一阴极板垂直；第一永磁铁阵列和第二永磁铁阵列位于容纳腔外，第一永磁铁阵列和第二永磁铁阵列沿第二方向位于阴极板两侧；第一永磁铁阵列和第二永磁铁阵列用于将容纳腔中的离子约束在两个阳极棒和第二阴极板之间以及两个阳极棒和第三阴极板之间的区域。本发明能够避免引入新的杂质元素，防止了容纳腔内产生的颗粒泄露出去造成晶圆键合面污染，降低了离子对阴极板的刻蚀。
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公开(公告)号：CN119230455A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411718501.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 金兰功率半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/603 , H01L21/687 , B23K20/02 , B23K20/26 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供一种功率模块的有压焊接工装及其焊接工艺，涉及功率半导体技术领域，功率模块包括AMB陶瓷覆铜衬板、焊片和散热铜基板，工装包括压板治具，压板治具包括治具本体，治具本体一侧设置第一安装腔，焊接治具设置于第一安装腔内，焊接治具包括治具本体，焊接治具一侧设置限位压块，限位压块一侧设置第二安装腔，AMB陶瓷覆铜衬板和焊片设置于第二安装腔内，散热铜基板层叠设置于焊片一侧，散热铜基板一侧设置弧度，导热治具包括铜底板，铜底板中间设置第三安装腔，第三安装腔中设置散热铜基板。本发明将导热治具与散热铜基板自然贴合，使产品焊接面加热更加均匀，控制焊片溶化和分配对称，控制AMB陶瓷覆铜衬板在焊接阶段的应力翘曲。
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公开(公告)号：CN119208169A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411297530.7
申请日：2024-09-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Inventor： 霍进迁
IPC: H01L21/603 , H01L21/306 , H01L23/26 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种键合方法，包括以下步骤：提供第一硅衬底，包括中心区域和边缘区域，边缘区域与中心区域的连接处形成台阶；形成吸气剂层于边缘区域，吸气剂层覆盖台阶的表面及侧壁；形成多个凹腔于中心区域的空白区；提供第二硅衬底，将第二硅衬底与第一硅衬底具有吸气剂层的一面直接键合；进行退火处理。本发明通过对第一硅衬底和第二硅衬底进行活化处理，使得二者能够在较低退火温度下实现高质量的键合，并保持较强的结合力。通过形成多个凹腔及吸气剂层，确保低温退火过程中产生的水汽等气体，在任意方向的逃逸和扩散都能被迅速且有效地吸收，从而有效避免了气体在键合界面处的积聚，有效防止了空洞的形成，提高了直接键合的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN119092419A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411151003.5
申请日：2024-08-21
Applicant: 苏州思萃车规半导体产业技术研究所有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆级封装方法及封装结构，半导体晶圆级封装方法中，通过环形凸起的设置，配合涂胶方式，保持封装键合强度的同时，提升了封装结构的气密性和可靠性，同时还能防止键合胶影响功能区域。
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公开(公告)号：CN119028853A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411158897.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明涉及一种提供电连接的装置和一种形成半导体器件的方法。本发明提供了一种半导体封装组件，该半导体封装组件具有连接夹，该连接夹设置在具有不同厚度的第一材料堆叠和第二材料堆叠上并且设置在导电衬底上。该连接夹具有设置在第一材料堆叠上的第一部分和设置在第二材料堆叠上的第二部分，使得第一部分的和第二部分的与导电衬底相对的表面与导电衬底相距相同的垂直距离。例如，在一些实施方式中，当第二材料堆叠的厚度小于第一材料堆叠的厚度时，连接夹的第二部分可以包括设置在第二材料堆叠上以使连接夹的第一部分和第二部分的表面的高度相等的竖直支撑件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119028852A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410606383.0
申请日：2024-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/603 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种接合方法和接合系统，能够简易地估计将基板彼此接合而成的重合基板的接合强度。用于将基板彼此接合的接合方法包括以下工序：在使第一基板的中心部与第二基板的中心部抵接的状态下将所述第一基板与所述第二基板从所述中心部朝向外周部依次接合来形成重合基板；测定从所述中心部朝向外周部的接合中的接合速度；以及基于测定出的所述接合速度，根据接合速度与接合强度之间的关系来估计进行接合所得到的所述重合基板的接合强度。
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公开(公告)号：CN118988197A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411109230.1
申请日：2024-08-13
Applicant: 广东工业大学
IPC: B01J19/00 , H01L21/603 , B01J19/10 , B01J19/18
Abstract: 本发明公开了一种金属膏体的液相反应循环系统及其制备方法，包括第一反应物容器、第二反应物容器、液体补充通道、加热超声装置、机械搅拌装置、第一液体输送管路、第二液体输送管路、第三液体输送管路、流量控制阀、双向泵送装置、反应装置和离心装置；本发明中，加热超声装置用于反应液的水浴加热和超声分散，机械搅拌装置用于原料和溶剂的充分溶解，双向泵送装置用于提供液体双向运输的动力，离心装置用于将反应液进行离心分离，液体输送管路用于液体的输送，液体补充通道用于将液体补充至反应物容器。本发明能实现反应液的循环利用，使一次加入的反应液能进行多次反应，提高反应液的利用率，提高金属膏体的产率，实现降本增效。
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公开(公告)号：CN116313860B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202211540871.3
申请日：2022-12-02
Applicant: 美科陶瓷科技有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L21/67 , H05F3/02
Abstract: 提供一种键合头和键合装置，该键合头包括：底座块；加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热；以及抗静电块，以能够吸附芯片的方式配置在所述加热块上方，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子。由此，能够有效地去除残留在抗静电块的表面上的电子。
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公开(公告)号：CN118969648A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410918502.6
申请日：2024-07-10
Applicant: 上海磊尚智能科技有限公司
Inventor： 洪平
IPC: H01L21/603 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种基板、压块、真空腔室及键合设备，属于基于压力的键合技术领域，基板包括层叠布置的上层板和下层板，上层板与下层板之间成形有匀压腔，匀压腔内填充有流体和/或弹性体。本发明中的基板通过匀压腔及其内流体和/或弹性体的设置，使得无论压力驱动机构施加在基板顶面的作用力如何，基板底面都能够向外界施加均匀的作用力，当该基板应用于键合机等压力设备中时，待键合的基片则能够获得均匀的压力，从而确保键合效果。
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公开(公告)号：CN118951281A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411034035.7
申请日：2024-07-30
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
IPC: B23K20/02 , B23K20/26 , B23K20/14 , H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种压焊机外接真空时序控制方法，所述压焊机的热座真空吸附通过外接真空实现，包括：获取热座的开合信号、热座的开合动作信号、压板的开合信号、压板的开合动作信号、步进夹爪的开合信号或步进夹爪的开合动作信号，根据获取的信号控制真空电磁阀和破真空电磁阀的开合；所述真空电磁阀和破真空电磁阀用于控制外接真空的真空或破真空状态。本发明使用外接真空替代压焊机内部压缩空气转真空，降低压焊机对压缩空气的需求量，减少对压缩空气转真空模块的维护频率，减少频繁设备维护过程中对关键部件的拆装带来的设备磨损和精度损失。
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