汞吸附剂及其制备方法和应用
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116889859A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202311007354.4

    申请日:2023-08-10

    申请人: 中南大学

    IPC分类号: B01J20/02 B01J20/22 B01D53/02

    摘要: 本发明提供了一种汞吸附剂,汞吸附剂为二维纳米片层结构,包括1/4CuS‑MoS2,1/6CuS‑MoS2,1/9CuS‑MoS2汞吸附剂的组成包括二硫化钼、硫化铜以及二甲基甲酰胺,汞吸附剂;其中,二硫化钼为二维纳米片结构,二硫化钼纳米片层层堆叠,二甲基甲酰胺位于至少部分二硫化钼纳米片中相邻的两层二硫化钼纳米片之间;相邻的两层二硫化钼纳米片的层间距为0.90~1.00纳米,硫化铜均匀分散于二硫化钼纳米片的表面以及二硫化钼的晶格之中。本发明利用面内S缺陷与铜元素掺杂耦合实现基面的原子重组,利用Cu原子置换Mo原子引起的电子重构和内部金属位点的暴露来激活MoS2基面硫原子的汞吸附活性,实现了脱汞效果的跃阶式优化。

    DMF扩层二硫化钼的制备方法、DMF扩层二硫化钼及其应用

    公开(公告)号:CN116588973A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310145648.7

    申请日:2023-02-21

    申请人: 中南大学

    摘要: 本发明提供了一种DMF扩层二硫化钼的制备方法、DMF扩层二硫化钼及其应用,包括步骤:将含钼试剂、含硫试剂混于二甲基甲酰胺溶剂中,得第一混合液;其中,含钼试剂与含硫试剂中钼元素与硫元素的摩尔比为1:0.5~9;将第一混合液经热处理后,固液分离沉淀,得DMF扩层二硫化钼;其中,溶剂热反应处理的处理温度为120~260℃,处理时间为4~20h。本发明制得的DMF扩层二硫化钼具备较高的热稳定性,且其中的二硫化钼片层具有大量的活性位点,能够在更高的烟气温度条件下高效地吸附Hg0,本发明操作简单、效果显著,值得推广。