公开(公告)号：CN107612326B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201710762362.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 于晶荣 ,  刘茂芸 ,  邓礼敏 ,  孙尧 ,  粟梅

IPC: H02M3/158

Abstract: 本发明提供一种双向级联式Buck‑Boost变换器的软开关调制方法，包括：第一MOSFET开关管的导通时刻位于第二MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期，第一MOSFET开关管的关断时刻位于第三MOSFET开关管的导通时刻后至少一个采样周期；第二MOSFET开关管的导通时刻位于第一MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期；第三MOSFET开关管的导通时刻位于第四MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期，第三MOSFET开关管的关断时刻为电感电流过零时刻；第四MOSFET开关管的导通时刻位于第三MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期。本发明不借助于额外辅助电路实现了双向级联式Buck‑Boost变换器的软开关调制，避免调制与控制的交互影响，降低了双向级联式Buck‑Boost变换器控制系统的设计和实现难度。

公开(公告)号：CN107612326A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710762362.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 于晶荣 ,  刘茂芸 ,  邓礼敏 ,  孙尧 ,  粟梅

IPC: H02M3/158

Abstract: 本发明提供一种双向级联式Buck-Boost变换器的软开关调制方法，包括：第一MOSFET开关管的导通时刻位于第二MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期，第一MOSFET开关管的关断时刻位于第三MOSFET开关管的导通时刻后至少一个采样周期；第二MOSFET开关管的导通时刻位于第一MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期；第三MOSFET开关管的导通时刻位于第四MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期，第三MOSFET开关管的关断时刻为电感电流过零时刻；第四MOSFET开关管的导通时刻位于第三MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期。本发明不借助于额外辅助电路实现了双向级联式Buck-Boost变换器的软开关调制，避免调制与控制的交互影响，降低了双向级联式Buck-Boost变换器控制系统的设计和实现难度。