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公开(公告)号：CN112875655A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110124435.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种非层状二维Cr2Se3纳米片的制备方法：(1)将铬源放入石英管中心的恒温区，硒源放入石英管的上游低温区，基片放入石英管的下游且靠近恒温区；(2)采用惰性气体排空石英管中的空气；(3)对石英管进行加热至700‑780℃，并通入载气，保温5‑15min，冷却，在基片上沉积有非层状二维Cr2Se3纳米片。本发明还公开了该制备方法制备获得的非层状二维Cr2Se3纳米片在电学器件中的应用。本发明制备了具有磁性的Cr2Se3纳米片，为自旋玻璃行为在维度降低效应中的研究提供了材料物质基础。
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公开(公告)号：CN109796851A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910120389.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 中南大学
IPC: C09D163/00 , C09D5/08 , C09D5/10 , C09D7/61
Abstract: 本发明提供了一种缓释型石墨烯重防腐涂料及其制备方法。缓释型石墨烯重防腐涂料包括环氧树脂20-60份、石墨烯10-30份、活性稀释剂5-10份、抗氧化剂3-5份、增韧剂2-10份和缓释剂3-5份；缓释剂为容置有缓释药剂的微胶囊，微胶囊具有微孔。缓释型石墨烯重防腐涂料的制备方法，包括以下步骤：将所述石墨烯、所述活性稀释剂混合均匀制备得到组分A；将所述环氧树脂、所述抗氧化剂、所述增韧剂混合均匀得到组分B；将所述组分A、所述组分B、所述缓释剂混合均匀即可。本申请提供的缓释型石墨烯重防腐涂料，防腐蚀效果好，可延长保护对象使用寿命。
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公开(公告)号：CN109796851B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201910120389.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 中南大学
IPC: C09D163/00 , C09D5/08 , C09D5/10 , C09D7/61
Abstract: 本发明提供了一种缓释型石墨烯重防腐涂料及其制备方法。缓释型石墨烯重防腐涂料包括环氧树脂20‑60份、石墨烯10‑30份、活性稀释剂5‑10份、抗氧化剂3‑5份、增韧剂2‑10份和缓释剂3‑5份；缓释剂为容置有缓释药剂的微胶囊，微胶囊具有微孔。缓释型石墨烯重防腐涂料的制备方法，包括以下步骤：将所述石墨烯、所述活性稀释剂混合均匀制备得到组分A；将所述环氧树脂、所述抗氧化剂、所述增韧剂混合均匀得到组分B；将所述组分A、所述组分B、所述缓释剂混合均匀即可。本申请提供的缓释型石墨烯重防腐涂料，防腐蚀效果好，可延长保护对象使用寿命。
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公开(公告)号：CN112875655B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110124435.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种非层状二维Cr2Se3纳米片的制备方法：(1)将铬源放入石英管中心的恒温区，硒源放入石英管的上游低温区，基片放入石英管的下游且靠近恒温区；(2)采用惰性气体排空石英管中的空气；(3)对石英管进行加热至700‑780℃，并通入载气，保温5‑15min，冷却，在基片上沉积有非层状二维Cr2Se3纳米片。本发明还公开了该制备方法制备获得的非层状二维Cr2Se3纳米片在电学器件中的应用。本发明制备了具有磁性的Cr2Se3纳米片，为自旋玻璃行为在维度降低效应中的研究提供了材料物质基础。
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公开(公告)号：CN112850800B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110124434.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积法制备二维CoS纳米片的方法：(1)将无水氯化钴和硫代乙酰胺分别放入到两个干净的瓷舟中；(2)将装有无水氯化钴的瓷舟放在单温区管式炉加热中心，并将衬底放于该瓷舟中心位置；将装有硫代乙酰胺的瓷舟放在单温区管式炉的上游；(3)向单温管式炉中通入Ar和H2，并将单温区管式炉的中心温度加热至520‑580℃，使盛放硫代乙酰胺的瓷舟所处的上游处温度从室温升到200‑300℃，保温10‑30分钟，冷却至室温，取出基片，获得二维层状CoS纳米片。本发明通过化学气相沉积法在基底上制备的CoS纳米片材料，厚度薄、纯度高，为CoS的微器件制作与催化特性研究提供了可靠原材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112941627B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110123984.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直生长的超薄Cr2Te3单晶纳米片的制备方法：将碲源、铬源和基底放置于化学气相沉积炉中对应的温区，其中，所述基底是将多片SiO2/Si基片呈阶梯式错开叠放；加热，通入氩气和氢气作为载气进行化学气相沉积，沉积结束后，在基底上得到垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片。本发明利用基片叠放方法控制微区气流方向，改变局域过饱和浓度，就可以制备面积大厚度薄的垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片，解决了现有技术中难以制备垂直生长的非范德瓦尔斯二维晶体的技术难题。
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公开(公告)号：CN112850800A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110124434.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积法制备二维CoS纳米片的方法：(1)将无水氯化钴和硫代乙酰胺分别放入到两个干净的瓷舟中；(2)将装有无水氯化钴的瓷舟放在单温区管式炉加热中心，并将衬底放于该瓷舟中心位置；将装有硫代乙酰胺的瓷舟放在单温区管式炉的上游；(3)向单温管式炉中通入Ar和H2，并将单温区管式炉的中心温度加热至520‑580℃，使盛放硫代乙酰胺的瓷舟所处的上游处温度从室温升到200‑300℃，保温10‑30分钟，冷却至室温，取出基片，获得二维层状CoS纳米片。本发明通过化学气相沉积法在基底上制备的CoS纳米片材料，厚度薄、纯度高，为CoS的微器件制作与催化特性研究提供了可靠原材料。
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公开(公告)号：CN109609921B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811558921.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 中南大学
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种真空系统的磁力控制装置及真空设备，涉及真空控制系统的技术领域。真空系统的磁力控制装置包括罩体、样品支撑磁吸组件和第一磁吸组件；罩体安装在电控柜的上端；样品支撑磁吸组件设置在罩体内部，样品支撑磁吸组件上用于放置样品；第一磁吸组件套设在罩体外部，第一磁吸组件与样品支撑磁吸组件相吸附，第一磁吸组件带动样品支撑磁吸组件旋转。解决了样品的旋转需要通过连杆进入真空罩体内，影响罩体内真空度、样品表面材料沉积的问题。本发明的样品支撑磁吸组件设置在罩体内，第一磁吸组件设在罩体外，第一磁吸组件对样品支撑磁吸组件的位置固定，完成样品旋转，确保样品表面材料沉积的纯度和均匀性。
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公开(公告)号：CN112941627A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110123984.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直生长的超薄Cr2Te3单晶纳米片的制备方法：将碲源、铬源和基底放置于化学气相沉积炉中对应的温区，其中，所述基底是将多片SiO2/Si基片呈阶梯式错开叠放；加热，通入氩气和氢气作为载气进行化学气相沉积，沉积结束后，在基底上得到垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片。本发明利用基片叠放方法控制微区气流方向，改变局域过饱和浓度，就可以制备面积大厚度薄的垂直生长的Cr2Te3单晶纳米片，解决了现有技术中难以制备垂直生长的非范德瓦尔斯二维晶体的技术难题。
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公开(公告)号：CN109609921A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811558921.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 中南大学
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种真空系统的磁力控制装置及真空设备，涉及真空控制系统的技术领域。真空系统的磁力控制装置包括罩体、样品支撑磁吸组件和第一磁吸组件；罩体安装在电控柜的上端；样品支撑磁吸组件设置在罩体内部，样品支撑磁吸组件上用于放置样品；第一磁吸组件套设在罩体外部，第一磁吸组件与样品支撑磁吸组件相吸附，第一磁吸组件带动样品支撑磁吸组件旋转。解决了样品的旋转需要通过连杆进入真空罩体内，影响罩体内真空度、样品表面材料沉积的问题。本发明的样品支撑磁吸组件设置在罩体内，第一磁吸组件设在罩体外，第一磁吸组件对样品支撑磁吸组件的位置固定，完成样品旋转，确保样品表面材料沉积的纯度和均匀性。
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