CVDSiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN102659451B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201210129286.4

    申请日:2012-04-28

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法,主要用于石墨、C/C复合材料及易氧化陶瓷基材料(如C/C-陶瓷复合材料、C/陶复合材料、碳化物陶瓷等)的长时间抗氧化保护。涂层采用化学气相沉积(CVD)方法制备,具有良好的可控性和可设计性。涂层由SiC涂层、SiO2涂层及SiC与SiO2共沉积涂层组成。涂层由一种梯度构成,或由多个梯度构成多层复合梯度涂层,即由内至外涂层依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2涂层,或依次SiC/SiC-SiO2/SiC~SiO2/SiC-SiO2/SiO2涂层,或依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2/SiO2-SiC/SiC/SiC-SiO2/SiO2…SiC/SiC-SiO2/SiO2,或为SiC/SiC-SiO2/SiO2-SiC/SiC-SiO2/…/SiO2-SiC/SiC-SiO2/SiO2,或为SiC/SiC-SiO2/SiC~SiO2/SiO2-SiC/SiC~SiO2/…/SiC~SiO2/SiC-SiO2/SiO2,或仅为SiC~SiO2共沉积涂层。所制备的梯度复合涂层在室温至1700℃都具有良好的长时间抗氧化性能。

    CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN102659451A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201210129286.4

    申请日:2012-04-28

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法,主要用于石墨、C/C复合材料及易氧化陶瓷基材料(如C/C-陶瓷复合材料、C/陶复合材料、碳化物陶瓷等)的长时间抗氧化保护。涂层采用化学气相沉积(CVD)方法制备,具有良好的可控性和可设计性。涂层由SiC涂层、SiO2涂层及SiC与SiO2共沉积涂层组成。涂层由一种梯度构成,或由多个梯度构成多层复合梯度涂层,即由内至外涂层依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2涂层,或依次SiC/SiC-SiO2/SiC~SiO2/SiC-SiO2/SiO2涂层,或依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2/SiO2-SiC/SiC/SiC-SiO2/SiO2…SiC/SiC-SiO2/SiO2,或为SiC/SiC-SiO2/SiO2-SiC/SiC-SiO2/…/SiO2-SiC/SiC-SiO2/SiO2,或为SiC/SiC-SiO2/SiC~SiO2/SiO2-SiC/SiC~SiO2/…/SiC~SiO2/SiC-SiO2/SiO2,或仅为SiC~SiO2共沉积涂层。所制备的梯度复合涂层在室温至1700℃都具有良好的长时间抗氧化性能。

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