公开(公告)号：CN118574507A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410603659.X

申请日：2024-05-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 吕膺昊 ,  张磊 ,  郭幸 ,  李鑫淼

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明提供了一种兼具忆阻忆容特性的记忆器件，包括上电极和下电极，还包括位于上电极和下电极之间的异质结构，所述异质结构由上自下依次为n型金属氧化物半导体层和绝缘体层。本发明解决了现有技术存在记忆器件无法同时实现忆阻忆容的问题，构建M‑I‑S(金属‑绝缘体‑半导体)异质结构器件，利用强电场的激发来实现对势垒区的调制，进而可实现对电阻电容的调控。从而实现电阻电容的记忆行为。

公开(公告)号：CN119698117A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411798953.7

申请日：2024-12-09

Applicant: 中南大学

Inventor： 张磊 ,  罗杰 ,  郭幸 ,  叶兆骏 ,  吕俊豪

IPC: H10F77/00 ,  H10F77/30 ,  H10F77/12 ,  H10F77/20 ,  H10F30/10 ,  H10F71/00 ,  H10F30/00

Abstract: 本发明专利公开了一种耐高温柔性紫外日盲探测器件及其制备方法，具体涉及半导体器件领域。包括：衬底层，所述衬底层由耐高温的柔性金属薄片制成；金属层，所述金属层位于衬底层上；绝缘层，所述绝缘层位于金属层上；感光层，所述感光层位于绝缘层上；电极层，所述电极层包括与感光层形成欧姆接触的电极。其方法如下：清洁金属薄片衬底；先后利用磁控溅射法在衬底表面向上沉积金属层、绝缘层和感光层；再采用旋涂、曝光、显影在感光层上制作出金属叉指电极。采用本发明技术方案解决了传统的刚性探测器无法同时兼具高温和结构柔性的问题，使得探测器在军事侦察、环境监测等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119677186A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411480102.8

申请日：2024-10-23

Applicant: 中南大学

Inventor： 张磊 ,  郭幸 ,  叶兆骏 ,  吕俊豪

IPC: H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明提供了一种兼具电忆容与光忆容行为的记忆器件，包括上电极和下电极，还包括位于上电极和下电极之间的异质结构，所述的异质结构由上自下依次为n型金属氧化物半导体薄膜层和重掺杂的p型硅半导体层。本发明提出了一种势垒区宽度调制的忆容器物理模型，利用电信号或光信号来激发器件，导致势垒区中电离氧空位浓度增加，进而势垒区宽度减小，实现了器件的电容值增加。本发明利用异质结构成功构建了光电忆容器件，实现了电信号与光信号对器件电容的调控，从而在单个器件中实现了电忆容和光忆容的记忆行为。