公开(公告)号：CN103357889B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310302393.7

申请日：2013-07-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 周聪华 ,  阳军亮 ,  杨兵初 ,  高永立 ,  夏兴达 ,  陆炜俊 ,  颜庚骅

IPC: B22F9/24 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14

Abstract: 本专利公开了一种合成高长宽比银纳米线的方法，即通过一次性加入银盐进行还原反应，就可以获得平均长度超过52μm、平均长宽比超过400的银纳米线。本方法不需要对反应物的加入速率做精确控制，所合成的银纳米线分散性好，均匀度高，银纳米线的平均长宽比相比于传统多元醇法提高了5倍以上，在透明柔性塑料衬底上制备柔性透明导电薄膜，其可见光透过率高于90%，方块电阻低于10Ω/□。相对于传统多元醇法而言，本方法工艺控制简单，重复性高，有利于高长宽比银纳米线的批量生产。

公开(公告)号：CN103357889A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310302393.7

申请日：2013-07-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 周聪华 ,  阳军亮 ,  杨兵初 ,  高永立 ,  夏兴达 ,  陆炜俊 ,  颜庚骅

IPC: B22F9/24 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明公开了一种合成高长宽比银纳米线的方法，即通过一次性加入银盐进行还原反应，就可以获得平均长度超过52μm、平均长宽比超过400的银纳米线。本方法不需要对反应物的加入速率做精确控制，所合成的银纳米线分散性好，均匀度高，银纳米线的平均长宽比相比于传统多元醇法提高了5倍以上，在透明柔性塑料衬底上制备柔性透明导电薄膜，其可见光透过率高于90%，方块电阻低于10Ω/□。相对于传统多元醇法而言，本方法工艺控制简单，重复性高，有利于高长宽比银纳米线的批量生产。