公开(公告)号：CN110243507A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910551157.6

申请日：2019-06-24

Applicant: 中南林业科技大学

Inventor： 周慧英 ,  刘根华 ,  谭云

IPC: G01L1/22 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种可擦除非易失性SiC纳米线应力感知器以及制备方法，首先制备一种具有堆叠缺陷结构的SiC纳米线，把其中一根纳米线放在绝缘塑料衬底上，在这根纳米线的两端制作两个金属电极，在这两个电极上连接两根导线，用封装材料封装，即得到一种可擦除非易失性SiC纳米线应力感知器。本发明利用单根具有堆叠缺陷结构的SiC纳米线作为应力感知器的功能单元，不仅可感知应变，具有很高的灵敏性，而且可以实现信息的读、写与擦除，具有鲜明的记忆性和非易失性，为传感器件和存储器件的研发提供新的发展思路。

公开(公告)号：CN118053780A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410128739.4

申请日：2024-01-30

Applicant: 中南林业科技大学

Inventor： 姚三锋 ,  周慧英

IPC: H01L21/66 ,  H04B17/00 ,  H04B17/11 ,  H04B17/21 ,  G06F17/16

Abstract: 本发明提供一种QFN射频封装器件的去嵌方法，方法包括：基于高频板材设计去嵌套件，其中，去嵌套件包括待测件夹具底座以及两倍直通结构校准件，两倍直通结构校准件由待测件夹具底座左右两个夹具直接相连构建而成；将QFN射频封装器件焊接于待测件夹具底座，以构建QFN射频封装待测件；利用矢量网络分析仪对QFN射频封装待测件和两倍直通结构校准件进行校准测量，以获得QFN射频封装待测件和两倍直通结构校准件的散射参数；基于两倍直通结构校准件的散射参数，利用TDR技术，获得QFN射频封装器件左右两个夹具误差盒的八项误差，完成QFN射频封装待测件的去嵌。具有校准件少，计算资源占用低，设计简单，在超宽频段内去嵌精确等优点。