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公开(公告)号：CN106672897B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201611245848.6
申请日：2016-12-29
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法。该表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱包括衬底，衬底上设有阵列型银纳米柱，阵列型银纳米柱的表面包覆有金膜；阵列型银纳米柱的柱长为400nm～800nm，阵列型银纳米柱的柱直径为80nm～100nm，相邻银纳米柱之间的距离70nm～80nm，阵列型银纳米柱表面的金膜厚度为20nm～30nm。制备方法包括：（1）倾斜镀膜法在衬底上制备阵列型银纳米柱；（2）纳米电镀金膜，得到表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱。本发明的阵列型银纳米柱表面包覆金膜技术具有结构稳定、与生物样品之间亲和性好等优点，该制备方法操作安全便捷、成本低廉、效率高、且对环境友好。
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公开(公告)号：CN107275023A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610216913.6
申请日：2016-04-08
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
CPC分类号： H01F1/0054 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/24
摘要： 本发明公开了一种金壳磁珠及其制备方法和应用。该金壳磁珠包括磁性内核，还包括连续包被在磁性内核上的金壳，磁性内核为锰铁氧体，锰铁氧体的粒径为190nm～300nm，金壳的厚度为15 nm～120nm，金壳磁珠的磁饱和值为10emu/g～55emu/g。金壳磁珠的制备方法包括以下步骤：（1）制备聚醚酰亚胺修饰的锰铁氧体；（2）使所述聚醚酰亚胺修饰的锰铁氧体的表面吸附上带负电的金种子；（3）制备金壳磁珠。金壳磁珠的应用包括其作为SERS增强基底的检测应用。该金壳磁珠粒径可控、尺寸均一，具有很好的磁响应能力和SERS性能，该制备方法时间短、工艺简单、通用性强、适用性广。
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公开(公告)号：CN103641059A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310742639.2
申请日：2013-12-30
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法。该硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列包括一硅片基底，硅片基底上设有硅柱纳米结构阵列，硅柱纳米结构阵列上设有金属膜纳米结构阵列，金属膜纳米结构阵列单元设于硅柱纳米结构阵列单元上。制备方法包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米颗粒非致密排列、制备金属纳米孔阵列掩模、制备纳米结构阵列模版、制备金属膜纳米结构阵列掩模和硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列等工艺步骤。本发明的纳米结构阵列具有大面积、高密度、形貌可被改变等优点，制备方法成本低廉、效率高、兼容性好，为研究纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。
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公开(公告)号：CN102530846A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210032957.5
申请日：2012-02-14
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种带有尖端的金属纳米带阵列的制备方法，包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米球非致密排列、蒸镀金属和制备金属纳米带阵列等工艺步骤，其中，在蒸镀过程中，将硅片倾斜，使所述硅片的法线方向同蒸镀方向存在一定夹角，进而使蒸镀方向上相邻的两PS纳米球在硅片上的投影相交，在投影相交处形成尖端，因此得到带有尖端的金属纳米带阵列；本发明的制备方法通用性强、适应性广、兼容性好、效率高、成本低且能为研究金属纳米结构阵列特性提供便利。
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公开(公告)号：CN101692099B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910044555.5
申请日：2009-10-16
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 一种具有片上零偏补偿的压阻式双轴微加速度计及制作方法，它包括通过键合连接在一起的衬底和加速度计总成，所述加速度计总成包括框架以及呈相互垂直布置于框架上的两个加速度计单元，所述每个加速度计单元包括呈对称布置的两个质量块，所述每个质量块上的一端通过一根主梁和两根微梁连接于框架上，所述每根微梁内均包含有一检测压阻，所述每个加速度计单元内四根微梁中的四个检测压阻构成惠斯通全桥结构。本发明进一步公开了上述具有片上零偏补偿的压阻式双轴微加速度计的制作方法。本发明是一种结构简单紧凑、加工简便、适用范围广、测量精度高的具有片上零偏补偿的压阻式双轴微加速度计及制作方法。
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公开(公告)号：CN101368826B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810143293.3
申请日：2008-09-25
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 一种采用隔振框架解耦的硅微陀螺，它包括第一基板和位于第一基板上方的第二基板，第一基板上设有两个检测电极，第二基板包括可沿驱动方向振动的两个结构相同且对称布置的两个驱动质量块、可沿检测方向振动的两个结构相同且对称布置的检测质量块、驱动电极以及隔振框架组件，检测质量块位于第一基板上两个检测电极的上方，隔振框架组件位于第二基板的中部，隔振框架组件的两端分别通过弹性梁与两个驱动质量块和两个检测质量块相连。本发明是一种结构简单紧凑、成本低廉、加工工艺简单、易于批量生产、产品品质高的采用隔振框架解耦的硅微陀螺。
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公开(公告)号：CN103641059B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310742639.2
申请日：2013-12-30
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法。该硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列包括一硅片基底，硅片基底上设有硅柱纳米结构阵列，硅柱纳米结构阵列上设有金属膜纳米结构阵列，金属膜纳米结构阵列单元设于硅柱纳米结构阵列单元上。制备方法包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米颗粒非致密排列、制备金属纳米孔阵列掩模、制备纳米结构阵列模版、制备金属膜纳米结构阵列掩模和硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列等工艺步骤。本发明的纳米结构阵列具有大面积、高密度、形貌可被改变等优点，制备方法成本低廉、效率高、兼容性好，为研究纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。
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公开(公告)号：CN103105423B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310028330.7
申请日：2013-01-25
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G01N27/327 , G01N33/78 , G01N33/543
摘要： 本发明公开了一种带有纳米点阵列的叉指电极，其是以金属叉指电极阵列为本体，金属叉指电极阵列的间隙中植入有金属纳米点结构阵列。本发明带有纳米点阵列的叉指电极的制备方法，包括以下步骤：首先在玻璃片表面形成单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列；然后在其上沉积金属膜，金属膜的沉积厚度低于纳米球高度的1/2，然后去除纳米球得到金属纳米点阵列；在金属纳米点阵列上沉积金属膜，在金属膜表面上形成光刻胶勾勒的电极图案，再湿法腐蚀，直至金属纳米点阵列重新暴露，制备得到带有纳米点阵列的叉指电极。本发明的叉指电极可用作生物传感器，具有兼容性好、效率高、成本低、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN101746714B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200910226780.0
申请日：2009-12-31
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 本发明公开了一种金属纳米结构阵列的制备方法，该方法是以硅片为基底，将均匀分散后的二氧化硅纳米球旋涂于硅片基底表面，形成单层有序二氧化硅纳米球致密排列；再采用感应耦合等离子体刻蚀法成形单层有序二氧化硅纳米球非致密排列；再在非致密排列上沉积一层金属膜并将二氧化硅纳米球去除，得到金属纳米孔阵列掩模；然后结合不同类型硅片的不同腐蚀特性对硅片进行腐蚀，去除掩模后得到不同形貌特征的纳米结构阵列模版，最后在模版上淀积以不同材质的金属材料，分离模版后即得到多种形貌特征、多材质的金属纳米结构阵列。本发明的方法具有成本低、效率高、兼容性好等优点，为研究金属纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。
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公开(公告)号：CN101738183B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910226759.0
申请日：2009-12-29
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G01C19/56
摘要： 本发明公开了一种基于复合膜的频率可调声表面波陀螺，包括磁致伸缩基底、压电薄膜、声表面波谐振器、声表面波检测器、金属点阵、移相网络以及射频放大器，所述压电薄膜覆盖于磁致伸缩基底上，所述声表面波谐振器、声表面波检测器和金属点阵设于压电薄膜的表面上，所述声表面波谐振器与移相网络和射频放大器一并构成声表面波振荡器，所述声表面波谐振器、声表面波检测器呈相互垂直交叉布置，所述声表面波谐振器与声表面波检测器交叉处的压电薄膜表面形成空白处，所述金属点阵位于所述空白处。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、操作简便等优点，可在一定范围内调节声表面波陀螺的工作频率，并可实现振荡器和检测器工作频率的匹配，有效提高声表面波陀螺的灵敏度和准确度。
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