一种超宽带广角域隐身结构材料

    公开(公告)号:CN115084869B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202210729404.9

    申请日:2022-06-24

    IPC分类号: H01Q17/00

    摘要: 本发明公开了一种超宽带广角域隐身结构材料,包括:介质板,设于介质板下表面的反射膜,设于介质层的上表面的多个水平吸波结构,以及多个与水平吸波结构一一对应的竖直吸波结构,多个水平吸波结构呈阵列分布,每个水平吸波结构包括多个水平吸波单元,多个水平吸波单元呈N×N阵列分布,所述竖直吸波结构固定于水平水平结构上端面的中心位置,其包括立方介质块和四个竖直吸波单元,四个竖直吸波单元沿立方介质块的周向分设在其四个侧面上。本发明解决了多模式电磁波广角域的阻抗失配难题,在军事航空航天和民用电子元器件等领域具有应用前景。

    一种超高温材料及其制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115073182A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210729368.6

    申请日:2022-06-24

    摘要: 本发明公开了一种超高温材料及其制备方法,制备方法包括:将难熔元素的硼化物和/或碳化物纳米粉体和烧结助剂混合后的原料在无氧、500℃‑800℃下烧结,得到所述超高温材料;所述烧结助剂包括活性矿化剂、导向助烧剂和溶盐介质,所述活性矿化剂为含硼矿物,所述导向助烧剂为难熔元素的卤化物。本发明能够在超低温度下实现了超高温材料的致密化,大幅降低了现有超高温材料制备的温度,且无需考虑传统高温制备条件下的晶粒粗化和纤维损伤等问题,从而制备工艺大大简化,成本显著降低。

    一种超高温材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115073182B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202210729368.6

    申请日:2022-06-24

    摘要: 本发明公开了一种超高温材料及其制备方法,制备方法包括:将难熔元素的硼化物和/或碳化物纳米粉体和烧结助剂混合后的原料在无氧、500℃‑800℃下烧结,得到所述超高温材料;所述烧结助剂包括活性矿化剂、导向助烧剂和溶盐介质,所述活性矿化剂为含硼矿物,所述导向助烧剂为难熔元素的卤化物。本发明能够在超低温度下实现了超高温材料的致密化,大幅降低了现有超高温材料制备的温度,且无需考虑传统高温制备条件下的晶粒粗化和纤维损伤等问题,从而制备工艺大大简化,成本显著降低。

    一种超宽带广角域隐身结构材料
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115084869A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210729404.9

    申请日:2022-06-24

    IPC分类号: H01Q17/00

    摘要: 本发明公开了一种超宽带广角域隐身结构材料,包括:介质板,设于介质板下表面的反射膜,设于介质层的上表面的多个水平吸波结构,以及多个与水平吸波结构一一对应的竖直吸波结构,多个水平吸波结构呈阵列分布,每个水平吸波结构包括多个水平吸波单元,多个水平吸波单元呈N×N阵列分布,所述竖直吸波结构固定于水平水平结构上端面的中心位置,其包括立方介质块和四个竖直吸波单元,四个竖直吸波单元沿立方介质块的周向分设在其四个侧面上。本发明解决了多模式电磁波广角域的阻抗失配难题,在军事航空航天和民用电子元器件等领域具有应用前景。

    一种双层带阻耦合型耐高温双通带透波超构体

    公开(公告)号:CN218300262U

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202222299913.0

    申请日:2022-08-31

    IPC分类号: H01Q15/00

    摘要: 本实用新型公开了一种双层带阻耦合型耐高温双通带透波超构体,包括金属结构层和介质层;所述金属结构层包含第一金属结构层和第二金属结构层,介质层包含介质上层、介质中层和介质下层,所述介质上层和介质下层分别对称设置于介质中层的上表面和下表面上;第一金属结构层设置于介质上层和介质中层之间的夹层中,第二金属结构层设置于介质中层和介质下层之间的夹层中;所述第一金属结构层和第二金属结构层均为耶路撒冷十字结构。本实用新型提供的双层带阻耦合型耐高温双通带透波超构体能够解决传统的耐高温陶瓷材料被引入到频率选择表面设计中,但是其在电磁性能调控自由度方面仍需进一步研究的技术问题。

    一种新型耐高温频率选择超表面结构

    公开(公告)号:CN217903448U

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202222149919.X

    申请日:2022-08-16

    IPC分类号: H01Q15/00 G02F1/00

    摘要: 本实用新型公开了一种新型耐高温频率选择超表面结构,属于新型人工电磁材料技术领域,包括金属结构层和介质层,介质层包含介质上层和介质下层,介质上层和介质下层相互平行设置,金属结构层设置于介质上层和介质下层之间,且金属结构层分别与介质上层和介质下层相连接,金属结构层为耶路撒冷十字结构。本实用新型提供的新型耐高温频率选择超表面结构能够解决频率选择超表面结构在高温环境下的介电性能无法保持,从而无法完全满足现实工作环境需求的技术问题。

    一种透射型数字可编码超材料结构

    公开(公告)号:CN217607027U

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202221554086.9

    申请日:2022-06-21

    IPC分类号: H01Q15/00

    摘要: 本新型属于新型人工电磁材料技术领域,具体涉及一种透射型数字可编码超材料结构。由超材料结构单元周期立体排布组成,超材料结构单元包括金属结构层、介质基板层和PIN二极管,所述金属结构层设置于介质基板层的上表面,所述金属结构层包括横金属体和竖金属体,所述竖金属体垂直设置于横金属体之间,且等间距排列,所述竖金属体等分为上、下两部分,所述PIN二极管设置于竖金属体的上、下两部分中间。解决了现有技术中透射波有源相位调控效率不高,调控精度不足等问题,具有简单的拓扑结构,便于批量加工和集成化。该超材料结构具有高效率和实时性的优点,在天线和通信领域具有巨大的应用潜力。

    一种机械电磁波反射角度调控装置

    公开(公告)号:CN216848115U

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202123025092.3

    申请日:2021-12-03

    IPC分类号: G01S7/02 G01S7/41

    摘要: 本实用新型公开了一种机械电磁波反射角度调控装置,反射角度调控装置设置在防护座的内部,所述防护座的内部固定安装有控制器,所述控制器的上端电性连接有电动伸缩杆,并且所述电动伸缩杆固定安装在所述防护座的内侧壁;包括:左侧定位块,其焊接固定设置在所述电动伸缩杆的伸缩端,且所述左侧定位块固定设置在调节滑块的边侧;侧边凸块,其固定设置在所述控向杆的上端侧面位置,且所述侧边凸块通过连接杆与定位柱相互连接;防护架,其固定设置在所述防护座的内侧壁上。该机械电磁波反射角度调控装置,采用新型的结构设计,使得本装置可以远程控制反射结构角度调节,同时装置中设置有角度限位测量结构,其控制反射结构转动调控更加精确。

    基于PB相位的多比特电调可重构超表面

    公开(公告)号:CN219203503U

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202320820246.8

    申请日:2023-04-13

    IPC分类号: H01Q15/00 H01Q15/24

    摘要: 本实用新型公开基于PB相位的多比特电调可重构超表面,涉及电磁散射控制领域,极化转换元件包括金属条、中间介质层、金属反射背板和馈线层,馈线层内有馈线,金属条的两端以及中部处分别设有金属化过孔,金属条端部处金属化过孔通过馈线呈高电平,金属条中部处金属化过孔通过馈线接地,金属条侧面焊接有变容二极管,馈线层内馈线通过控制器对变容二极管提供电压,能够实时动态地切换超表面加载二极管的状态,实现对入射圆极化波高效地同极化反射和交叉极化反射,同时对同极化反射相位和交叉极化反射相位进行独立调控,可以实现对散射电磁波的任意调控,通过实时改变控制器的输出信号可以实现可重构的散射特性并调控入射电磁波的频率。

    基于形状记忆合金的高功率电磁防护表面

    公开(公告)号:CN219553898U

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202321309770.5

    申请日:2023-05-27

    IPC分类号: H01Q17/00 H01Q1/42 H05K9/00

    摘要: 本新型涉及空间强电磁场防护技术领域,具体涉及基于形状记忆合金的高功率电磁防护表面。基于形状记忆合金的高功率电磁防护表面,天线罩的内表面设置有自适应防护表面,自适应防护表面由入射电磁波功率检测器、控制芯片、金属结构层和介质基板组成,所述入射电磁波功率检测器和控制芯片之间通过信号传输线连接,所述控制芯片和金属结构层之间通过信号传输线连接,所述金属结构层设置于介质基板上。所述金属结构层包括形状记忆合金和普通金属。本新型通过形状记忆合金的变形实现目标频段内电磁波的全反射和全透射的切换。通过设定高功率微波阈值,电磁波功率检测装置,可实现任意功率电磁波入射下透射和反射的切换。