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公开(公告)号：CN102590251B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210016487.3
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国人民解放军第二炮兵装备研究院第六研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种测量金属钚氧化百分比的方法，通过加外中子源照射金属钚材料，利用18O(n，n′γ)18O(1982.2keV)反应来加强1982.2keV的特征γ射线的数量，使其易于测量，从而得到被氧化的金属钚样品中18O所贡献的1982.2keV特征γ射线峰位计数数值。本发明所提供的测量金属钚氧化百分比的方法，可以定量分析金属钚材料的氧化程度，解决了仅靠871keV的特征γ射线证明氧化钚的存在着较大误差，直接利用17O的871keV特征γ射线也很难对氧化钚的存在进行定量分析的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104407372B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410809649.8
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国人民解放军第二炮兵装备研究院第六研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于闪烁光纤的β射线位置探测装置，该装置包括：准直器和位置灵敏探测器，其中：准直器用于通过垂直于位置灵敏探测器平面方向入射的β射线，使得只有垂直入射位置灵敏探测器的β射线能够击中位置灵敏探测器中的闪烁光纤；位置灵敏探测器位于准直器的后方，用于对于通过准直器的垂直入射的β射线进行位置探测。本发明同时还公开了一种位置探测方法。本发明采用光纤织布可同时获取β射线的二维位置信息；能够减少光收集中的光损失，使大面积的β射线位置灵敏探测器成为可能；增加了光收集效率，有利于位置分辨及能量分辨；大大节约了光电倍增管的数量，降低了成本。
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公开(公告)号：CN104502945B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201410815479.4
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国人民解放军第二炮兵装备研究院第六研究所
Abstract: 本发明公开了一种γ射线时间测量装置及其探测器的制造方法，该装置包括：探测器、定时甄别电路、放大成形电路、单道脉冲分析器、延迟电路、时间幅度转换电路、符合电路和多道分析器。本发明以BaF2晶体、POPOP、硅橡胶为材料采用特殊流程制作成复合闪烁体，并加工成蜂窝煤形状来组成探测器，可将BaF2晶体发出的220nm波长的荧光转换为波长420nm左右的可见光，不再需要石英窗的光电倍增管，从而大大拓展了其应用范围；蜂窝煤形状的结构设计增加了闪烁体的表面积，从而使得部分闪烁光经过折射后，可在空气介质中传播到达光电探测器件，到达光电探测器件的时间变短，使得信号初始阶段的上升更快，有利于定时甄别器进行定时，从而提高γ射线时间测量装置的定时精度。
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公开(公告)号：CN104502945A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410815479.4
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国人民解放军第二炮兵装备研究院第六研究所
Abstract: 本发明公开了一种γ射线时间测量装置及其探测器的制造方法，该装置包括：探测器、定时甄别电路、放大成形电路、单道脉冲分析器、延迟电路、时间幅度转换电路、符合电路和多道分析器。本发明以BaF2晶体、POPOP、硅橡胶为材料采用特殊流程制作成复合闪烁体，并加工成蜂窝煤形状来组成探测器，可将BaF2晶体发出的220nm波长的荧光转换为波长420nm左右的可见光，不再需要石英窗的光电倍增管，从而大大拓展了其应用范围；蜂窝煤形状的结构设计增加了闪烁体的表面积，从而使得部分闪烁光经过折射后，可在空气介质中传播到达光电探测器件，到达光电探测器件的时间变短，使得信号初始阶段的上升更快，有利于定时甄别器进行定时，从而提高γ射线时间测量装置的定时精度。
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公开(公告)号：CN104407372A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410809649.8
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国人民解放军第二炮兵装备研究院第六研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于闪烁光纤的β射线位置探测装置，该装置包括：准直器和位置灵敏探测器，其中：准直器用于通过垂直于位置灵敏探测器平面方向入射的β射线，使得只有垂直入射位置灵敏探测器的β射线能够击中位置灵敏探测器中的闪烁光纤；位置灵敏探测器位于准直器的后方，用于对于通过准直器的垂直入射的β射线进行位置探测。本发明同时还公开了一种位置探测方法。本发明采用光纤织布可同时获取β射线的二维位置信息；能够减少光收集中的光损失，使大面积的β射线位置灵敏探测器成为可能；增加了光收集效率，有利于位置分辨及能量分辨；大大节约了光电倍增管的数量，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102590250B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210015567.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国人民解放军第二炮兵装备研究院第六研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种测量金属钚氧化程度的方法，先测定被氧化的金属钚样品自然放射条件下17O(α，α′γ)17O(871keV)和14N(α，p)17O(871keV)反应的所发生的871keV特征γ射线峰位计数数值，然后利用17O(n，n′γ)17O(871keV)反应，通过加外中子源照射，增强被测试金属钚样品中17O(n，n′γ)17O(871keV)反应的能力，测得在加外中子源照射条件下被氧化的金属钚样品的871keV特征γ射线峰位计数数值，将在加外中子源照射条件下所测得的871keV特征γ射线峰位计数数值减去自然放射条件下所测得的871keV特征γ射线峰位计数数值，即可得到被氧化的金属钚样品中17O所贡献的871keV特征γ射线峰位计数数值，本发明所提供的一种测量金属钚氧化程度的方法，能够有效避免14N(α，p)17O(871keV)反应所产生的871keV特征γ射线的干扰，也就能够对待测氧化程度的金属钚样品进行定量分析。
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