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公开(公告)号：CN107979910A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711228450.6
申请日：2017-11-29
申请人： 中国人民解放军陆军工程大学
摘要： 本发明公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制的方法，消电过程是在高真空环境下进行，放电过程包括使用微波电源对磁控管供电产生2.45GHz电磁波，电磁波以TEM模式通过同轴波导馈送，并通过微波传输系统馈入微波同轴天线，微波同轴天线下端位于等离子体源体的等离子体室内，微波同轴天线在等离子体室内完成放电，并借助于等离子体源体在真空室内完成消电过程；在高真空环境下，通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体，形成等离子体，位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生强度为0.0875特斯拉磁场，在磁场作用下形成高密度的电子回旋共振等离子体，通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，实现介质表面电荷的主动调节。
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公开(公告)号：CN107734826B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201711226073.2
申请日：2017-11-29
申请人： 中国人民解放军陆军工程大学
摘要： 本发明公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，包括等离子体源体、微波系统和供气系统，微波系统包括微波电源系统和微波传输系统，微波电源系统通过微波传输系统将微波传输至等离子体源体的等离子体室内，供气系统包括气体储存系统和气体控制系统，等离子体源体产生的等离子体导入真空度为10‑4Pa以下的真空室内，并通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体，形成等离子体，位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生磁场，且在磁场强度为0.0875特斯拉处形成高密度的电子回旋共振等离子体，所形成的等离子体包含电子和离子通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，实现介质表面电荷的主动调节。
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公开(公告)号：CN107979910B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201711228450.6
申请日：2017-11-29
申请人： 中国人民解放军陆军工程大学
摘要： 本发明公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制的方法，消电过程是在高真空环境下进行，放电过程包括使用微波电源对磁控管供电产生2.45GHz电磁波，电磁波以TEM模式通过同轴波导馈送，并通过微波传输系统馈入微波同轴天线，微波同轴天线下端位于等离子体源体的等离子体室内，微波同轴天线在等离子体室内完成放电，并借助于等离子体源体在真空室内完成消电过程；在高真空环境下，通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体，形成等离子体，位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生强度为0.0875特斯拉磁场，在磁场作用下形成高密度的电子回旋共振等离子体，通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，实现介质表面电荷的主动调节。
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公开(公告)号：CN107734826A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711226073.2
申请日：2017-11-29
申请人： 中国人民解放军陆军工程大学
CPC分类号： H05H1/46 , B64G1/52 , H05H2001/4607
摘要： 本发明公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，包括等离子体源体、微波系统和供气系统，微波系统包括微波电源系统和微波传输系统，微波电源系统通过微波传输系统将微波传输至等离子体源体的等离子体室内，供气系统包括气体储存系统和气体控制系统，等离子体源体产生的等离子体导入真空度为10-4Pa以下的真空室内，并通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体，形成等离子体，位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生磁场，且在磁场强度为0.0875特斯拉处形成高密度的电子回旋共振等离子体，所形成的等离子体包含电子和离子通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，实现介质表面电荷的主动调节。
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公开(公告)号：CN208317091U
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201721628977.3
申请日：2017-11-29
申请人： 中国人民解放军陆军工程大学
摘要： 本实用新型公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，包括等离子体源体、微波系统和供气系统，微波系统包括微波电源系统和微波传输系统，微波电源系统通过微波传输系统将微波传输至等离子体源体的等离子体室内，供气系统包括气体储存系统和气体控制系统，等离子体源体产生的等离子体导入真空度为10-4Pa以下的真空室内，并通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体，形成等离子体，位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生磁场，且在磁场强度为0.0875特斯拉处形成高密度的电子回旋共振等离子体，所形成的等离子体包含电子和离子通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，实现介质表面电荷的主动调节。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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