一种插入式电离室快速插接件

    公开(公告)号:CN114914753B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202210431932.6

    申请日:2022-04-22

    摘要: 本发明公开了一种插入式电离室快速插接件,包括电离室接头及电离室连接座,所述电离室接头及电离室连接座均固定于电离室连接线上;电离室接头与电离室连接座内部结构相同,连接处的电离室接头一端为插头,电离室连接座一端为插座,电离室接头与电离室连接座相向设置并可拆卸连接;所述电离室连接线分为七层,从外到内依次为:外皮、外屏蔽层、中间绝缘层、中间屏蔽层、黑色绝缘层、透明绝缘层及中心电缆,且各层从外向内依次向前端伸出;电离室连接线外皮通过金属壳体稳定连接,中间屏蔽层通过中间屏蔽铜柱连接在一起,中间的信号线通过中心铜针连接在一起,每一层通过高绝缘材料隔离,有效隔离外部信号的干扰,提高了弱电信号传输的可靠性。

    一种用于治疗水平的空腔电离室
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116870373A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310693229.7

    申请日:2023-06-12

    IPC分类号: A61N5/10 G01T1/185 H01J47/02

    摘要: 本发明公开了一种用于治疗水平的空腔电离室,该电离室由电离室灵敏体积、电离室杆以及TNC接口三部分组成,所述电离室灵敏体积由电离室室壁(阳极或高压极)、收集极(中心电极)及保护极构成;所述电离室杆作为介质连接在电离室灵敏体积及TNC接口之间;所述TNC接口包含高压、信号及接地保护接口。所述保护极伸入至电离室灵敏体积底端,且在接近电离室灵敏体积下部位置本发明采用在绝缘材料上使用微米级的铝箔来作为保护极。针对目前现有电离室漏电过大的问题,本发明采用保护极伸入电离室灵敏体积底端,直接从原理上阻断了由于高压极与收集极之间绝缘厚度不够而产生的漏电流,使得电离室漏电流达到了PTW同型号电离室相同的水平。

    一种用于电离室的低软化点沥青的制备方法

    公开(公告)号:CN114540063A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210201078.4

    申请日:2022-03-03

    IPC分类号: C10C3/00

    摘要: 本发明公开了一种用于电离室的低软化点沥青的制备方法,包括如下步骤:将采购或制备的石墨烯通过还原法去除其中的氧元素;将去除氧元素之后的石墨烯分散到有机溶液中,用玻璃棒搅拌1‑10分钟,然后通过超声分散,制备获得石墨烯溶液;将沥青与石墨烯溶液充分混匀并静置;将静置后的混合溶液在干燥设备中烘干,直到溶剂彻底脱除,制得用于电离室的低软化点沥青。本发明的用于电离室的低软化点沥青的制备方法,可以保证超细粉料混捏过程骨料的均匀分散,相对于现有技术中添加轻组分降低沥青软化点的方法,更好的保证了沥青的残炭率、强度和流动性,对于制备高致密、高导热/导电、高均匀性、高强度石墨材料具有重要意义。

    一种用于电离室的低软化点沥青的制备方法

    公开(公告)号:CN114540063B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202210201078.4

    申请日:2022-03-03

    IPC分类号: C10C3/00

    摘要: 本发明公开了一种用于电离室的低软化点沥青的制备方法,包括如下步骤:将采购或制备的石墨烯通过还原法去除其中的氧元素;将去除氧元素之后的石墨烯分散到有机溶液中,用玻璃棒搅拌1‑10分钟,然后通过超声分散,制备获得石墨烯溶液;将沥青与石墨烯溶液充分混匀并静置;将静置后的混合溶液在干燥设备中烘干,直到溶剂彻底脱除,制得用于电离室的低软化点沥青。本发明的用于电离室的低软化点沥青的制备方法,可以保证超细粉料混捏过程骨料的均匀分散,相对于现有技术中添加轻组分降低沥青软化点的方法,更好的保证了沥青的残炭率、强度和流动性,对于制备高致密、高导热/导电、高均匀性、高强度石墨材料具有重要意义。

    提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏-源电流的方法及装置

    公开(公告)号:CN115083894A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210653858.2

    申请日:2022-06-10

    IPC分类号: H01L21/26 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏‑源电流的方法及装置,特点是通过伽马射线对封装后的增强型P型帽层氮化镓功率器件进行辐照,控制伽马射线的能量为1.25MeV、剂量率为10~50rad(Si)/s、总剂量为600~800krad(Si),使得在增强型氮化镓功率器件的P型帽层中引入正电荷缺陷,提高沟道的有效掺杂,以增加封装后增强型氮化镓功率器件的饱和漏‑源电流;优点是解决了目前增强型P型帽层氮化镓功率器件在封装完成后器件参数无法优化的现状,且该方法技术成熟稳定,环境污染小,在辐照过程中不需要加入其他化学物质,成本低。

    一种辐射源位置探测方法和装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114236627A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111556157.9

    申请日:2021-12-18

    IPC分类号: G01V5/00

    摘要: 本发明公开了一种辐射源位置探测装置,包括多个立方体探测单元及电路板,所述多个立方体探测单元及电路板组合成一个魔方式六面体探测器;魔方式六面体探测器中,由多个立方体探测单元依次相邻排列成一面墙体结构,相邻墙体结构之间夹持设置电路板;电路板与外部的计算机相连。另外本发明还公开了利用该探测装置的探测方法。本发明的辐射源位置探测方法和装置,利用了多个立方体探测单元及电路板组合而成的魔方式六面体探测器,可以精确获取辐射源的位置。魔方式六面体探测器均采用高探测效率的辐射探测器,搭配小型化的单片机或智能设备后的体积很小,重量轻便于携带,大大提高了探测精度和探测效率。

    一种用于防护水平的空腔电离室
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117130033A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310693248.X

    申请日:2023-06-12

    IPC分类号: G01T1/02 G01T7/12 G01T7/00

    摘要: 本申请公开了一种用于防护水平的空腔电离室,该空腔电离室包括:电离室灵敏体积,其由电离室高压极和伸入其内的收集极构成,所述电离室高压极的室壁为高压极;TNC连接器,包含高压、信号及接地保护外接口;电离室杆,其作为介质连接于电离室灵敏体积及TNC连接器之间。该电离室高压极高压极外壁采用POM材料,内部均匀喷涂胶体石墨,利用接触面的石墨层实现两半球的导通;电离室收集极采用PMMA表面喷涂胶体石墨导电层,高原子序数的铝材料和石墨层按照一定比例配合平衡了电离室室壁材料的不完全空气等效性,改善了电离室低能段的能量响应该电离室适用于测量宽能量(48keV~1.25MeV)X/γ射线,主要性能指标达到或接近PTW同类型电离室的水平,实现了电离室的国产化。