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公开(公告)号：CN110347031A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910715901.1
申请日：2019-08-05
IPC分类号： G04F10/00
摘要： 本发明公开了一种像素级的高精度幅度时间转换电路。本发明实现一种像素级的高精度幅度时间转换电路，即读出电路内部每个像元内集成了一个幅度时间转换电路，因此，在一次探测中，所有像元均可给出不同回波信号的强度信息。本发明的幅度时间转换电路受时钟频率的限制较小，极大提高了转换精度，代表回波信号强度的电压直接以数字格式输出，无需片上ADC进行2次量化，降低了片上系统设计的难度。
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公开(公告)号：CN110347031B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910715901.1
申请日：2019-08-05
IPC分类号： G04F10/00
摘要： 本发明公开了一种像素级的高精度幅度时间转换电路。本发明实现一种像素级的高精度幅度时间转换电路，即读出电路内部每个像元内集成了一个幅度时间转换电路，因此，在一次探测中，所有像元均可给出不同回波信号的强度信息。本发明的幅度时间转换电路受时钟频率的限制较小，极大提高了转换精度，代表回波信号强度的电压直接以数字格式输出，无需片上ADC进行2次量化，降低了片上系统设计的难度。
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公开(公告)号：CN112899647A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110054151.5
申请日：2021-01-15
IPC分类号： C23C16/30 , C30B29/48 , C30B29/62 , C30B25/02 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种一维硒化镉半导体纳米线的制备方法，包括：在衬底上沉积一金属催化剂薄膜；在保护气存在下，均匀混合硫化镉和硒化镉；将沉积催化剂薄膜的衬底和混合的硫化镉与硒化镉进行加温，通过化学气相沉积方法得到纳米线。采用化学气相沉积的方法能够大面积批量生长，可有效控制半导体纳米线的生长方向、长度，并显著提高其载流子迁移率。制备的光电探测器性能优异。
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公开(公告)号：CN104376178A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410681459.2
申请日：2014-11-25
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种集成电路布图登记所需图层的制作方法，包括以下步骤：将集成电路版图的gds格式数据文件导入打平；选择具有工艺特征的某一图层，将该层打印成1个电子文档文件；依次设置图片文件页面的页边距，去掉与版图图形无关的图形，仅保留版图图形，使要拼接的相邻的版图图形正好与页边距对齐，并转换成若干份该层的jpeg格式文件；选择该图层的若干份jpeg格式文件，对照芯片版图的形状，设置jpeg格式文件的相应位置，并拼接成一张图形文件；对拼接后的一张图形文件进行评价；将制作好的每个图层的文件汇总到一个文件中，形成该集成电路布图登记的图层文件。本方法减少了拼接工作量，提高了拼接精度，可满足图层制作的要求。
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公开(公告)号：CN210155522U
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201921250881.7
申请日：2019-08-05
IPC分类号： G04F10/00
摘要： 本实用新型公开了一种像素级的高精度幅度时间转换电路。本实用新型实现一种像素级的高精度幅度时间转换电路，即读出电路内部每个像元内集成了一个幅度时间转换电路，因此，在一次探测中，所有像元均可给出不同回波信号的强度信息。本实用新型的幅度时间转换电路受时钟频率的限制较小，极大提高了转换精度，代表回波信号强度的电压直接以数字格式输出，无需片上ADC进行2次量化，降低了片上系统设计的难度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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