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公开(公告)号：CN117467312A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311586446.2
申请日：2023-11-24
IPC分类号： C09D123/28 , B32B27/32 , B32B27/06 , B32B33/00 , C09D7/62
摘要： 本发明涉及电力电容器领域，具体是一种聚丙烯基用膜料和高储能密度聚丙烯基三元复合薄膜及其制备方法。本发明提供的聚丙烯基用膜料，包括：氯化聚丙烯和羟基硅烷化氧化锆。本发明将所述聚丙烯基用膜料在聚丙烯薄膜表面成膜，得到复合薄膜；再将两片所述复合薄膜进行堆叠和层压后，依次进行第一双向拉伸、热压和第二双向拉伸后，得到高储能密度聚丙烯基三元复合薄膜。实验表明，本发明所述三元复合薄膜在120℃高温、600kV/mm场强下实现了放电效率不低于90％的性能，相比进行第一双向拉伸、热压和第二双向拉伸前的复合薄膜，击穿场强由639kV/mm提升到了774kV/mm，提升了21％。
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公开(公告)号：CN117373824A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311581583.7
申请日：2023-11-24
IPC分类号： H01G2/10
摘要： 本申请公开了一种高原电容器，包括：外壳体；所述外壳体上设置有若干个凸起；所述外壳体内设置有气压补偿件；所述气压补偿件具备弹性且其内部填充有气体。本方案中，通过在外壳体上设置凸起，可以增加外壳体的刚性同时不会大幅增加外壳体的重量；另一方面，通过设置气压补偿件可以进一步提高电容器的耐形变性能和电气性能，实现降低电容器受环境变化的影响的效果。
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公开(公告)号：CN117603477A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311583276.2
申请日：2023-11-24
摘要： 本发明涉及电力电容器领域，具体是一种高电阻率聚丙烯复合膜料及其制备方法和介电薄膜。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：S1)将氨基改性氧化铝和马来酸酐接枝的等规聚丙烯反应；S2)将氨基改性氧化铝、等规聚丙烯和步骤S1)反应后所得产物共混，干燥，得到高电阻率聚丙烯纳米复合膜料。本发明将介电常数适中的氧化铝纳米粒子在等规聚丙烯接枝马来酸酐层上进行功能化，并将其用作纳米复合材料的填料，实现了高的电阻率，同时击穿性能也得到了提升。本发明所述制备方法简单又经济，得到的复合模料热压成膜后，在140℃的高温下仍能够获得出色的电绝缘性能和击穿性能，有效提高高温下电力电容器的耐压水平，进一步改善电容储能性能。
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公开(公告)号：CN118537639A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410623805.5
申请日：2024-05-20
发明人： 杨跃光 , 屈路 , 廖玉琴 , 陈怀飞 , 秦浩东 , 廖民传 , 王敩青 , 胡上茂 , 李文荣 , 刘刚 , 刘小兵 , 贾磊 , 蔡汉生 , 胡泰山 , 梅琪 , 刘浩 , 吴泳聪 , 姚成 , 孟森
IPC分类号： G06V10/764 , G06V10/40 , G06V10/774
摘要： 本发明公开了一种雷电电场波形的分类方法、系统、设备和介质，涉及雷电电场波形分类技术领域，获取训练电场波形数据，对训练电场波形数据进行数据预处理，生成电场波形特征集，采用电场波形特征集对预设的电场波形分类模型进行训练，生成目标电场波形分类模型，其中，目标电场波形分类模型包括特征提取网络和分类网络，当接收到待分类波形数据时，根据待分类波形数据构建待分类波形图像，通过特征提取网络对待分类波形图像进行特征提取，生成波形特征图，采用分类网络对波形特征图进行分类检测，得到分类结果。解决了现有通过深度学习算法对雷电电场波形进行识别分类，但深度学习算法对系统算力要求较高，响应速度慢的技术问题。
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公开(公告)号：CN115014955B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210612356.5
申请日：2022-05-31
发明人： 刘青松 , 胡上茂 , 彭翔 , 贾磊 , 吴瀛 , 廖民传 , 孙勇 , 刘刚 , 胡泰山 , 邓军 , 陈伟 , 张义 , 杨育丰 , 吴泳聪 , 冯瑞发 , 梅琪 , 刘浩 , 姚成 , 祁汭晗
摘要： 本发明提供一种模拟在干扰电流和阴极保护下埋地管道氢脆试验方法，包括对标准弯梁试样进行涂封处理；在土壤模拟溶液中分别在不施加阴极保护电位和干扰电流、仅施加阴极保护电位或同时施加阴极保护电位和干扰电流情况下对试样进行弯曲试验，分别获取不施加阴极保护电位和干扰电流时试样裂纹萌生时间T0、施加阴极保护电位和干扰电流时试样裂纹萌生时间T1；根据裂纹萌生时间，计算试样氢脆敏感系数；根据预设氢脆敏感系数和氢脆敏感系数，评价目标管道氢脆敏感性和安全风险。本发明方法提出以裂纹萌生时间为影响参数的氢脆敏感系数来评价管材氢脆敏感性，可用于研究承受恒弯曲载荷埋地管道在阴极保护电位和直流输电线路干扰下氢脆的影响。
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公开(公告)号：CN115017695B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210612302.9
申请日：2022-05-31
发明人： 刘青松 , 胡上茂 , 彭翔 , 贾磊 , 吴瀛 , 刘刚 , 孙勇 , 胡泰山 , 邓军 , 廖民传 , 陈伟 , 张义 , 杨育丰 , 吴泳聪 , 冯瑞发 , 梅琪 , 刘浩 , 姚成 , 祁汭晗
IPC分类号： G06F30/20 , G06F111/10 , G06F113/14
摘要： 本发明提供一种确定埋地管道干扰电流安全区间的氢脆试验方法，包括：分别获取试样不施加和施加干扰电流情况下的断面收缩率、冲击吸收能量、裂纹萌生时间、疲劳裂纹扩展门槛值，相应计算各氢脆敏感系数#imgabs0#FHK，FHT，FHΔ，通过试验获取各预设氢脆敏感系数分别对应的干扰电流密度，根据各干扰电流密度分别确定各预设氢脆敏感系数所对应的干扰电流密度安全区间，最后确定各干扰电流密度安全区间的重叠区间为埋地管道干扰电流的最终安全区间。本发明方法通过多种力学性能指标综合确定的目标管道干扰电流密度安全区间，较全面考虑了管道发生氢脆过程中的现场受力情况，保证了干扰电流密度安全区间的可靠性。
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公开(公告)号：CN114492141B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210152871.X
申请日：2022-02-18
发明人： 刘青松 , 胡上茂 , 彭翔 , 刘刚 , 吴瀛 , 贾磊 , 孙勇 , 张义 , 邓军 , 廖民传 , 陈伟 , 胡泰山 , 杨育丰 , 冯瑞发 , 梅琪 , 刘浩 , 姚成 , 祁汭晗 , 吴泳聪
IPC分类号： G06F30/23 , G06F113/04 , G06F113/14
摘要： 本申请公开一种电网系统的管道干扰评估方法及装置，通过利用预设范围内采集的高压直流系统中单接地极与长输管道的基础信息以及土壤分层结构信息，构建三维网格模型，设置与单接地极模型的单接地极界面对应的恒定电流边界条件，与长输管道模型的长输管道界面对应的带防腐层管道的极化边界条件，与土壤分层结构模型的远大地土壤区域界面对应的电流边界条件，确定单接地极界面与长输管道界面，以及单接地极界面与所述远大地土壤区域界面之间的电连接方式，从而确定所述单接地极对所述长输管道的直流干扰电位及电流密度分布图，并通过直流干扰电位及所述电流密度分布图进行干扰评估与规律分析，实现对高压直流输电系统与油气输送管道间的干扰评估。
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公开(公告)号：CN114638510B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210283698.7
申请日：2022-03-22
发明人： 刘青松 , 胡上茂 , 贾磊 , 蔡汉生 , 彭翔 , 刘刚 , 孙勇 , 吴瀛 , 廖民传 , 张义 , 陈伟 , 杨育丰 , 屈路 , 邓军 , 胡泰山 , 姚成 , 梅琪 , 刘浩 , 祁汭晗 , 吴泳聪
IPC分类号： G06Q10/0631 , G06Q50/06
摘要： 本申请提供了一种高压直流干扰分析方法、装置、设备、系统及存储介质，本申请可以在得到待测试的高压直流接地电极附近的电位差与腐蚀速率之间的关系后，基于待测试的高压直流接地电极附近的电位差，不仅可以判断高压直流接地极附近已建的埋地金属结构物受干扰程度及腐蚀风险；还可以对尚未探明或即将建设的埋地金属结构物受高压直流接地极的干扰情况进行判断。以便维护人员或施工人员可以根据埋地金属结构物受高压直流接地极的干扰等级来实施维护或布局埋地金属结构物的施工。
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公开(公告)号：CN118039360A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410365660.3
申请日：2024-03-28
申请人： 南方电网科学研究院有限责任公司
摘要： 本发明涉及电容器技术领域，公开了一种电容器用衬垫及其制备方法和电容器，其中电容器用衬垫用于设置在电容器内部的电介质层与电介质层之间，且该衬垫与电介质层接触的两面均设置有定向液体输送结构，定向液体输送结构可高速、定向、选择性地输送液态填充材料，使液态填充材料填满电介质层之间的间隙，提高了电容器内部电介质层间填充材料的均匀性，减少了电容器发生局部放电现象的风险。
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公开(公告)号：CN118039359A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410365257.0
申请日：2024-03-28
申请人： 南方电网科学研究院有限责任公司
摘要： 本申请涉及一种薄膜的印压结构加工方法和电容器浸渍制备方法，该加工方法包括通过传送装置将放卷辊上的待印压薄膜输送至分切装置；采用分切装置的分切刀对待印压薄膜进行分切，得到分切薄膜并将分切薄膜通过传送装置传送至印压装置；采用印压装置对分切薄膜的非蒸镀面进行印压，得到具有印压结构的薄膜。通过该薄膜的印压结构加工方法生产的薄膜制作的电容器可以在浸渍过程中，让印压结构的薄膜将浸渍剂定向传输，降低浸渍工艺中的真空要求，提高了电容器的加工效率，降低真空处理的能耗，改善电容器端部局放性能，解决了现有电容器结构内部存在间隙，间隙中残留气体无法有效去除导致电容器的局放性能差的技术问题。
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