公开(公告)号：CN1808269A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510135407.6

申请日：2005-12-28

Applicant: 中国台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游信胜 ,  柯志明 ,  林本坚

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  G05D23/00

CPC classification number: G05D23/24 ,  G05D23/1934

Abstract: 本发明提供一种制程控制方法及半导体制造方法，具体涉及一种利用具有加热区域的加热装置的制程控制方法。首先，指定一标的关键尺寸图。取得对应被在一基线设定下的加热装置进行处理的一基材的一基线关键尺寸图。取得对应被在一原始设定下的加热装置进行处理的一基材的一原始关键尺寸图。对于每一加热区域，取得对应被在一偏移的情况下的加热装置进行处理的一基材的一偏移关键尺寸图。加热装置的温度分布可以依据由基线关键尺寸图与标的关键尺寸图所定义的误差关键尺寸图、由原始关键尺寸图与偏移关键尺寸图所定义的基本函数、以及利用基本函数展开误差关键尺寸图的展开系数来进行调整。本发明改善了关键尺寸的一致性。