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公开(公告)号：CN102330075A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110286754.4
申请日：2011-09-26
Applicant: 中国地质大学(武汉)
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明提供了一种采用喷雾热解法制备ZnO基透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：配制Zn源和掺杂离子源构成的前驱体溶液，前驱体溶液中Zn2+的浓度为0.01mol/L～5mol/L，Zn2+和掺杂离子的摩尔配比为1∶0.01～0.3；在前驱体溶液中加入酸和有机溶剂，然后将前驱体溶液雾化，雾化后的溶液经载气运送至薄膜生长室，在温度为250℃～850℃的衬底表面上分解沉积生成ZnO基透明导电薄膜。本发明提供的制备ZnO基透明导电薄膜的方法，设备与原料成本较低，工艺简单、生产周期短，所制得的产品表面电阻率小且透光率高。
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