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公开(公告)号:CN115165940B
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202210763565.X
申请日:2022-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N23/202 , G01N23/20008
Abstract: 本发明提供了一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的高精度磁场翻转装置,包括中子入射向骨架、中子出射向骨架、中子入射向线圈、中子出射向线圈、绕线柱、磁屏蔽罩。中子入射向骨架包括两个相对设置的Y型面、入射开口面以及入射电流屏开口面,所述Y型面、入射开口面、入射电流屏开口面上绕制有呈Y字形的中子中子入射向线圈,中子出射向骨架和中子出射向线圈与中子入射向骨架、中子入射向线圈相同,为背靠背紧贴并翻转90°设置,实现磁场90°翻转。骨架和线圈外设置有磁屏蔽罩。该装置不仅提高了磁场均匀度,还提高了前后磁场的水平度与垂直度,满足中子极化方向的翻转要求,有效地提高谱仪的探测精度和探测效率。
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公开(公告)号:CN118262993A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202410211363.3
申请日:2024-02-27
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本申请适用于磁场线圈装置技术领域,提供了一种方形四线圈构型的磁场线圈装置及磁场分布确定方法,其中,装置包括:线圈骨架,线圈骨架具有相对设置的两个方形端面;线圈组件,线圈组件绕制于线圈骨架,线圈组件包括依次绕制于线圈骨架的第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈,第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈的各线圈边长相等,且对应的中心轴线共线,第一线圈和第四线圈相对于线圈骨架的中心点对称布置,第二线圈和第三线圈相对于线圈骨架的中心点对称布置。本申请中,相比传统的圆形线圈更加紧凑和轻便,便于移动和安装,可以提高使用的便利性。
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公开(公告)号:CN115165940A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202210763565.X
申请日:2022-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N23/202 , G01N23/20008
Abstract: 本发明提供了一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的高精度磁场翻转装置,包括中子入射向骨架、中子出射向骨架、中子入射向线圈、中子出射向线圈、绕线柱、磁屏蔽罩。中子入射向骨架包括两个相对设置的Y型面、入射开口面以及入射电流屏开口面,所述Y型面、入射开口面、入射电流屏开口面上绕制有呈Y字形的中子中子入射向线圈,中子出射向骨架和中子出射向线圈与中子入射向骨架、中子入射向线圈相同,为背靠背紧贴并翻转90°设置,实现磁场90°翻转。骨架和线圈外设置有磁屏蔽罩。该装置不仅提高了磁场均匀度,还提高了前后磁场的水平度与垂直度,满足中子极化方向的翻转要求,有效地提高谱仪的探测精度和探测效率。
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公开(公告)号:CN114942253A
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202210776624.7
申请日:2022-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N23/20008
Abstract: 本发明提出一种用于自旋回波准弹中子散射谱仪的中子共振型翻转器,包括水平绕向线圈、圆弧绕向线圈、射频翻转线圈、射频接口、水平绕向线圈骨架、圆弧绕向线圈骨架、射频线圈骨架,每两个圆弧绕向线圈骨架与一个水平绕向线圈骨架相连成C字形骨架,两个C字形骨架的开口处与同一个射频线圈骨架相连成镜像对称骨架,所述线圈分别绕制到对应线圈骨架上后连接射频接口。水平及圆弧绕向线圈采用阳极氧化铜线,射频翻转线圈采用阳极氧化铝带,射频翻转线圈骨架中间留有中子束斑通过窗口,以提高中子透过率。该装置可以通过在射频接口馈入射频信号,实现中子共振自旋翻转。若配合相应谱仪使用,可实现材料动力学特性高能量分辨率和短动力学时间的探测。
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公开(公告)号:CN114942253B
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202210776624.7
申请日:2022-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N23/20008
Abstract: 本发明提出一种用于自旋回波准弹中子散射谱仪的中子共振型翻转器,包括水平绕向线圈、圆弧绕向线圈、射频翻转线圈、射频接口、水平绕向线圈骨架、圆弧绕向线圈骨架、射频线圈骨架,每两个圆弧绕向线圈骨架与一个水平绕向线圈骨架相连成C字形骨架,两个C字形骨架的开口处与同一个射频线圈骨架相连成镜像对称骨架,所述线圈分别绕制到对应线圈骨架上后连接射频接口。水平及圆弧绕向线圈采用阳极氧化铜线,射频翻转线圈采用阳极氧化铝带,射频翻转线圈骨架中间留有中子束斑通过窗口,以提高中子透过率。该装置可以通过在射频接口馈入射频信号,实现中子共振自旋翻转。若配合相应谱仪使用,可实现材料动力学特性高能量分辨率和短动力学时间的探测。
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公开(公告)号:CN115406919A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202210763616.9
申请日:2022-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N23/202 , G01N23/20008
Abstract: 本发明公开了一种自旋回波小角中子散射谱仪的磁场跳变装置,用于抑制中子自旋回波小角散射谱仪中沿中子束方向两个相反磁场间零磁场与梯度磁场区间所导致的退极化影响。所述装置采用电流屏结构,在线圈左右可以产生磁场方向180°跳变的磁场;在线圈左右两侧分别采用了补偿线圈结构,以调节补偿提高线圈左右两侧磁场方向的反平行度,保证左右两侧磁场方向的跳变,抑制中子极化度在装置处的退极化。本发明用于中子自旋回波谱仪,提供前后臂跳变磁场,降低中子在过渡区域的退极化影响,配合中子小角散射谱仪使用可用于对生物大分子、复杂流体和凝胶体、聚合物以及新型材料的测量,提高整个自旋回波小角散射谱仪的测量范围。
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公开(公告)号:CN115060750A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202210777148.0
申请日:2022-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N23/20008
Abstract: 本发明提供了一种用于用于自旋回波准弹中子散射谱仪的极化中子自旋翻转装置,包括矩形线圈骨架、矩形线圈和两个相对于矩形线圈对称排布圆线圈,所述矩形线圈绕制在矩形线圈骨架上,矩形线圈骨架中心位置开设有圆形的中子束流窗口,所述两个圆线圈与圆形中子束流窗口空间同轴。其中,圆线圈采用铜线绕制,可在相同线圈绕制横截面下通过更高电流。矩形线圈采用对中子吸收截面较小的阳极氧化铝线绕制,可提高中子在路径上的透过率。该装置可通过调节对称排布圆线圈以及矩形线圈的电流比值实现对极化中子翻转角度的调控。本发明配合中子散射谱仪使用,可开启极化中子自旋进动,实现对材料动力学特性高能量分辨率和短动力学时间探测。
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公开(公告)号:CN112093520A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202011014221.6
申请日:2020-09-24
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: B65H15/00
Abstract: 本发明提供了一种基于软磁薄膜的中子自旋翻转装置及其应用,所述装置包括软磁薄膜、用于安装软磁薄膜的薄膜支架、与薄膜支架连接的位置调节机构、及用于固定支撑位置调节机构的固定支架。本发明装置采用软磁薄膜作提供面内局部强磁场,该磁场以小角度倾斜放置,使得内部磁场与中子极化方向几乎垂直,极化中子在薄膜内部发生拉莫尔进动,在合适的薄膜厚度下,中子极化方向旋转接近180°,达到几乎翻转的效果。为满足薄膜磁性和厚度的要求,本发明采用了磁控溅射的方法制备高饱和磁感应强度的软磁薄膜,为满足高安装精度和可调倾斜角度的安装要求,为自旋翻转薄膜配备了高精度的位置调节机构。
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公开(公告)号:CN111693556A
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN202010711614.6
申请日:2020-07-22
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N23/202 , G01N23/20008
Abstract: 本发明提供了一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置,该装置包括线圈、灌封胶、磁屏蔽罩、翻转器骨架、出线盒、压线绝缘条。所述装置中的线圈选择阳极氧化处理后的扁形纯铝线,且在两个骨架的相对面处采用适应中子束流尺寸的绕制方式,提高了磁场均匀度及中子透过率。该装置可灵活地调节中子极化方向的翻转程度。装置能满足中子极化方向的翻转要求,有效地提高谱仪的探测精度及效率。本发明配合进动磁场生成装置,可用于表征高分子聚合物、流体、溶胶、合金、生物大分子等材料内部的如空洞、缺陷、磁结构等纳米至微米尺度的亚微观结构信息,对材料特性的基础研究等方面起到指导性作用。
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公开(公告)号:CN109668816A
公开(公告)日:2019-04-23
申请号:CN201910101962.9
申请日:2019-02-01
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N15/08 , G01N23/201 , G01N23/202
Abstract: 本发明公开了一种测定微纳米炸药晶体粉末比表面积的方法。该方法包括如下步骤:首先将待测微纳米炸药晶体粉末装入石英样品盒,然后做小角散射测试,并对小角散射实验数据进行处理获得绝对强度散射曲线,然后通过Porod拟合和计算获得微纳米炸药晶体粉末的比表面积。本发明的测定微纳米炸药晶体粉末比表面积的方法是一种快速无损测定微纳米炸药晶体粉末比表面积的方法,具有快速、安全、绿色环保的优点。本发明测定的微纳米炸药晶体粉末比表面积是表征微纳米炸药晶体粉末微观形态特征的重要参数,可用于进一步深入探索炸药晶体粉末形态特征对其宏观感度、力学性能、爆燃特性等的影响。
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