公开(公告)号：CN104681646B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510098637.3

申请日：2015-03-05

Applicant: 西安电子科技大学 ,  中国工程物理研究院核物理与化学研究所

Inventor： 郭辉 ,  宋朝阳 ,  蒋树庆 ,  梁佳博 ,  张玉明

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法，主要解决现有技术中平面型光导开关在相同电极间距下耐压小的问题。该光导开关自下而上为半绝缘碳化硅衬底(1)、致密绝缘氧化层(2)和SiO2钝化层(3)，在半绝缘碳化硅衬底(1)上部两端及其表面上层的致密绝缘氧化层(2)和SiO2钝化层(3)对应位置处开有两个深度均为2～5μm的凹槽(6，7)，一对厚度均为3～7μm的欧姆接触电极(4，5)分别嵌入到这两个凹槽(6，7)中。本发明在相同击穿电压条件下导通电阻更小，耐压性更高，器件尺寸可以进一步减小，可用于高速大功率脉冲系统中。

公开(公告)号：CN118566967A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410734628.8

申请日：2024-06-07

Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所

Inventor： 严小松 ,  蒋树庆 ,  鲁建 ,  蒙世坚 ,  叶繁 ,  易强 ,  杨瑞华 ,  许泽平

IPC: G01T1/202 ,  G01T1/24 ,  G01T1/16 ,  G01T7/00

Abstract: 本发明提供一种核辐射探测器，包括闪烁晶体阵列、SiPM阵列与前端电子学电路板以及外隔热封装；其中，SiPM阵列与前端电子学电路板包括SiPM阵列以及前端电子学电路板，闪烁晶体阵列与SiPM阵列在像素级层面上一对一耦合，前端电子学电路板包括热敏电阻，热敏电阻贴焊于SiPM阵列的背面中心，热敏电阻用于测量SiPM阵列的温度，温度用于根据偏压‑温度标定数据实时更新SiPM阵列的偏压数值；闪烁晶体阵列、SiPM阵列与热敏电阻包裹于外隔热封装中。本发明结合SiPM阵列的偏压‑温度标定数据实时更新SiPM阵列的偏压数值，匀化探测模块的温度场并减少与环境的热交换，有效的稳定了整个阵列探测器的温度响应。