一种测量85Kr的叠层反符合探测器

    公开(公告)号:CN109917444B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN201910273942.X

    申请日:2019-04-08

    IPC分类号: G01T1/203

    摘要: 本发明公开了一种测量85Kr的叠层反符合探测器。该探测器采用内充气闪烁体探测器原理,通过改进测量闪烁体结构,获取接近4π的探测立体角,同时通过叠层组合结构引入反符合探测器,在不增大探测器体积的前提下,显著降低测量本底水平,提高85Kr的探测能力。本发明提出的探测器具有结构紧凑、体积小巧,探测效率高、本底水平低、皮实性好的优点,对充入气体样品成分变化不敏感,不需要使用液氮转移样品,能够广泛应用于核电站、乏燃料后处理厂等核设施气载流出物中小体积、低浓度85Kr的监测。

    一种测量85Kr的叠层反符合探测器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109917444A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910273942.X

    申请日:2019-04-08

    IPC分类号: G01T1/203

    摘要: 本发明公开了一种测量85Kr的叠层反符合探测器。该探测器采用内充气闪烁体探测器原理,通过改进测量闪烁体结构,获取接近4π的探测立体角,同时通过叠层组合结构引入反符合探测器,在不增大探测器体积的前提下,显著降低测量本底水平,提高85Kr的探测能力。本发明提出的探测器具有结构紧凑、体积小巧,探测效率高、本底水平低、皮实性好的优点,对充入气体样品成分变化不敏感,不需要使用液氮转移样品,能够广泛应用于核电站、乏燃料后处理厂等核设施气载流出物中小体积、低浓度85Kr的监测。

    一种测量85Kr的内充气探测器

    公开(公告)号:CN107272044B

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201710548485.1

    申请日:2017-07-07

    IPC分类号: G01T1/203

    摘要: 本发明公开了一种测量85Kr的内充气探测器,它包括:阀门、不锈钢外壳、反射隔离膜、塑料闪烁体、光耦合剂、光电倍增管、集成核电子学模块。探测器安装在屏蔽体中,样品通过气体处理模块富集、提纯后充入密闭样品室。85Kr放出的β射线被塑料闪烁体收集形成闪烁光,经光电倍增管放大后,被集成核电子学模块记录。记录数据传送至PC终端后,通过与本底比对分析即可得到样品中85Kr活度信息。与现行γ谱仪测量方式相比,该探测器能将85Kr的探测限降低约3个量级;与传统的气体探测器相比,该探测器对样品成分变化不敏感。可广泛应用于核电厂气态流出物中放射性85Kr的定量分析。

    一种用于特殊核材料纵深防御的组网式辐射监测系统

    公开(公告)号:CN114609663B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202210268612.3

    申请日:2022-03-17

    IPC分类号: G01T7/00 G01T1/18 H04L12/40

    摘要: 本发明公开了一种用于特殊核材料纵深防御的组网式辐射监测系统,该监测系统包括:服务器终端、交换机、辐射监测控制器和辐射传感器,其中辐射监测控制器与辐射传感器之间通过CAN总线进行通信,辐射传感器的核心为盖革计数管。本发明公开的特殊核材料纵深防御组网式辐射监测系统适用于大规模特殊核材料容器罐的一对一实时监测,该系统具有结构简单、探头紧凑、可靠性高的优点,并从原理上避免了特殊核材料敏感信息的泄露,降低了监测系统对敏感信息的入侵性。系统利用CAN总线进行辐射传感器组网,易于探测规模的快速拓展,能够实现对大量特殊核材料容器罐的一对一的实时监测,为系统快速准确定位非授权移动的特殊核材料位置提供方便。

    一种含钍铱合金的制备方法

    公开(公告)号:CN114058887B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202111373867.8

    申请日:2021-11-19

    IPC分类号: C22C1/02 C22C5/04

    摘要: 本发明公开了一种含钍铱合金的制备方法,包括步骤:(1)采用高纯铱粉为原料,在冷等静压机上进行压制,获得压制铱块;(2)将铱块依次放入氢气预烧结炉和真空高温烧结炉进行烧结,获得烧结铱块;(3)烧结所得铱块转移至电弧熔炼炉中与钨钍合金进行熔炼,获得含钍铱合金;(4)清洗铱合金锭,转移至电子束熔炉中进行熔炼,浇注得掺钍铱钨合金铸锭。本发明在电弧熔炼过程中通过钨钍电极同时引入钨、钍掺杂元素,可以简化现有含钍铱合金的制备工艺,同时最大程度地保证掺杂元素的均匀性。通过调整钨钍电极中钍的含量,可以实现铱合金中钍含量的调控。同时所制得合金具有晶粒尺寸小、性能优良的特点,满足238Pu同位素电源对包壳材料的需求。