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公开(公告)号：CN107907813B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201711131410.X
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种集成式激光电离效应模拟系统，该系统将调整底座、光源、衰减与光束调整模块、显微观察模块及测试与存储模块一体化集成，光源可选择输出266nm、532nm和1064nm三个波段的激光，可满足不同半导体器件辐射电离效应模拟的需求，整个系统具有方便、快捷、准确、安全性高等特点，可有效降低半导体器件的试验成本，提高试验效率，缩短抗辐射加固的设计周期。
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公开(公告)号：CN107907813A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711131410.X
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2603
Abstract: 本发明公开了一种集成式激光电离效应模拟系统，该系统将调整底座、光源、衰减与光束调整模块、显微观察模块及测试与存储模块一体化集成，光源可选择输出266nm、532nm和1064nm三个波段的激光，可满足不同半导体器件辐射电离效应模拟的需求，整个系统具有方便、快捷、准确、安全性高等特点，可有效降低半导体器件的试验成本，提高试验效率，缩短抗辐射加固的设计周期。
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公开(公告)号：CN107886820B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201711132250.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成式双光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括双波长脉冲激光器、双光路衰减模块、显微观察模块、测试与存储模块四个部分，该系统可实现532nm和1064nm双波长同时输出，既能自由灵活地切换两种波长的激光，又能利用二者的合束光对半导体器件的电离效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，相比单波长模拟系统调节更加方便、受激光器波动影响更小、适用范围更加广泛。
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公开(公告)号：CN106771952B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710024954.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN106771952A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710024954.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2642
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107886823B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201711132249.8
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种优化集成式单光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括脉冲激光产生与衰减模块、显微成像与能量监测模块、测试与控制模块三个部分。该系统可自由切换266nm、532nm和1064nm三个波长对辐射电离效应进行单路激光模拟，可灵活快捷地在实验室条件下对半导体器件辐射电离效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，具有方便、快捷、准确、安全性高等特点。该发明有效降低了试验成本，提高了试验效率，缩短了抗辐射加固的设计周期。
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公开(公告)号：CN107833511B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201711130162.7
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种优化集成式双光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括双波长脉冲激光器、双光路衰减模块、显微观察模块、测试与控制模块四个部分。该系统在同时实现532nm和1064nm双波长输出的基础上，对整个模拟系统进行了光路和结构优化，使其能够更加灵活快捷地在实验室条件下对半导体器件辐射剂量率效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，具有方便、快捷、准确、安全性高等特点。该发明有效降低了试验成本，提高了试验效率，缩短了抗辐射加固的设计周期。
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公开(公告)号：CN107833511A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711130162.7
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种优化集成式双光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括双波长脉冲激光器、双光路衰减模块、显微观察模块、测试与控制模块四个部分。该系统在同时实现532nm和1064nm双波长输出的基础上，对整个模拟系统进行了光路和结构优化，使其能够更加灵活快捷地在实验室条件下对半导体器件辐射剂量率效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，具有方便、快捷、准确、安全性高等特点。该发明有效降低了试验成本，提高了试验效率，缩短了抗辐射加固的设计周期。
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公开(公告)号：CN107886823A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711132249.8
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种优化集成式单光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括脉冲激光产生与衰减模块、显微成像与能量监测模块、测试与控制模块三个部分。该系统可自由切换266nm、532nm和1064nm三个波长对辐射电离效应进行单路激光模拟，可灵活快捷地在实验室条件下对半导体器件辐射电离效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，具有方便、快捷、准确、安全性高等特点。该发明有效降低了试验成本，提高了试验效率，缩短了抗辐射加固的设计周期。
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公开(公告)号：CN107886820A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711132250.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成式双光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括双波长脉冲激光器、双光路衰减模块、显微观察模块、测试与存储模块四个部分，该系统可实现532nm和1064nm双波长同时输出，既能自由灵活地切换两种波长的激光，又能利用二者的合束光对半导体器件的电离效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，相比单波长模拟系统调节更加方便、受激光器波动影响更小、适用范围更加广泛。
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