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公开(公告)号:CN108683355A
公开(公告)日:2018-10-19
申请号:CN201810394738.9
申请日:2018-04-27
申请人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC分类号: H03K3/57
摘要: 本发明公开了一种高压高重频脉冲调制器20KV单元模块,其包含:脉冲前后沿形成电路,用于形成正负脉冲信号;双级变压器电路,用于双级单列磁驱动传输;栅极驱动波形调整电路,用于调整栅极驱动波形;开关管及均压网络;该单元模块具体工作原理是:当前后沿脉冲信号通过高压母线时,通过双级变压器电路传输到栅极驱动波形调整电路形成脉冲,达到对开关管的同步开关,同时通过均压网络保护开关管工作。本发明绝缘与变压功能分离,由1个主绝缘变压器带n个驱动变压器实现,驱动变压器的耐压等级要求低,具有体积小、重量轻的优点,主绝缘变压器穿过高压母线,牢固可靠,也易拆卸,相应的动态均压处理难度低,释放的EMI能量较少,还具有很强的扩展性。
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公开(公告)号:CN115765696A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211633881.1
申请日:2022-12-19
申请人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号: H03K17/082 , H02M9/02 , H02M1/088 , H02M1/00 , H02M1/44 , H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687
摘要: 本发明公开了一种基于IGBT软开关的双模式工作调制器及使用方法,该调制器包括:开关模块Ⅰ、开关模块Ⅱ、电流隔离模块、驱动模块Ⅰ、驱动模块Ⅱ、高压直流电源、负载和控保单元;其中开关模块Ⅰ包括多个依次串联的SiC MOSFET开关,开关模块Ⅱ包括多个依次串联的IGBT开关,且开关模块Ⅰ和开关模块Ⅱ中的各级SiC MOSFET开关和IGBT开关一一对应并联;本发明公开的基于IGBT软开关的双模式工作调制器相比现有技术损耗低、体积小、短路保护可靠以及电磁干扰低。
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