一种铜铟镓硒/硫太阳电池吸收层的制备方法

    公开(公告)号:CN102214735A

    公开(公告)日:2011-10-12

    申请号:CN201110155988.5

    申请日:2011-06-11

    IPC分类号: H01L31/18 C23C14/35

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种铜铟镓硒/硫太阳电池吸收层的制备方法,其特征在于:首先在衬底上沉积底层导电膜,然后在底层导电膜上制备铜铟镓硒/硫薄膜,铜铟镓硒/硫薄膜沉积形成后,被置入热处理室进行热处理,所述的在底层导电膜上制备铜铟镓硒/硫薄膜是以氩气为溅射气体,以铜铟镓硒/硫合金靶为靶材,通过直流脉冲磁控溅射的方法来沉积形成的。本发明的有益效果是:①制备过程均在真空状态下完成,衬底没有暴露在大气,为制备出优质的薄膜提供了良好的环境基础;②避免了使用硒化氢/硫等有毒气体,提高了镀膜的安全性;③采用直流脉冲磁控溅射的方法制备铜铟镓硒/硫可以获得高致密性和高均匀度的薄膜,且容易实现连续生产。