赤泥透水砖及其制备方法

    公开(公告)号:CN108675799A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810386345.3

    申请日:2018-04-26

    摘要: 本发明实施例是关于一种赤泥透水砖及其制备方法,涉及赤泥透水砖技术领域,主要目的在于提高赤泥透水砖的耐用性。主要采用的技术方案为:赤泥透水砖的制备方法,包括:采用赤泥粉料造粒制备赤泥颗粒;将玻璃粉成形于所述赤泥颗粒外表面,形成赤泥玻璃核;采用所述赤泥玻璃核和造孔剂成型、烧制赤泥透水砖。本发明实施例提供的赤泥透水砖,透水砖体由赤泥玻璃核形成,赤泥玻璃核包括赤泥颗粒以及包裹在赤泥颗粒外表面的玻璃层,玻璃层对赤泥颗粒高效包裹,使其不易返碱;另外由于玻璃层的强度远远高于赤泥颗粒的强度,可提高赤泥透水砖整体抗高压能力,经测试,其压缩强度可达42MPa,相对于现有技术,提高了其耐用性。

    匀胶系统
    5.
    发明公开
    匀胶系统 审中-实审

    公开(公告)号:CN114721224A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210262041.2

    申请日:2022-03-17

    摘要: 本申请提供一种匀胶系统,涉及光刻工艺技术领域。其中,该匀胶系统包括:光源、投影卡具和底座;所述光源用于投射光线;所述投影卡具位于所述光源的下方;所述底座位于所述投影卡具的正下方,用于固定并以中心直线为轴线旋转所述基片;所述光源照射所述投影卡具后的投影映在所述底座的上表面,且所述投影的轮廓的形状和大小分别对应于所述基片,用于所述基片的定位;其中,所述中心直线穿过所述底座的中心并与所述底座的上表面垂直。本申请技术方案可以实现基片的无接触且快速对中操作,能够解决基片对中时需要使用夹具,容易划伤基片的技术问题。

    微结构玻璃基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113193059B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110486159.9

    申请日:2021-04-30

    摘要: 本发明是关于微结构玻璃基片及其制备方法,该微结构玻璃基片包括玻璃基底层和光电发射材料层,所述的玻璃基底层具有呈网格状分布的光栅凹槽结构,所述的光栅凹槽结构由若干第一方向的凹槽和若干第二方向的凹槽相互交叉形成,所述的凹槽的开口朝向所述的光子出射面,所述的凹槽内填充有氧化物膜层;所述的凹槽的尺寸与光电发射材料层的厚度满足如下关系:W×(Δ+W)=1000×D,其中,W为凹槽的宽度,Δ为相邻两个凹槽的间距,D为光电发射材料层的厚度。本发明通过对玻璃基片的出射面进行微结构加工,形成特殊材料结构光栅,增加光子传播路径,提高光谱灵敏度。

    一种防光晕台阶玻璃及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111533465A

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN202010421569.0

    申请日:2020-05-18

    IPC分类号: C03C23/00 C03C19/00

    摘要: 本发明涉及一种防光晕台阶玻璃及其制备方法和应用,所述防光晕台阶玻璃的制备方法,包括:在防光晕台阶玻璃毛坯的衬底上进行金属离子注入,得到金属离子掺杂的玻璃;将得到的金属离子掺杂的玻璃的表面进行热还原,得到表层黑化的玻璃毛坯;将得到的玻璃毛坯上下表面的黑玻璃层研磨除去,露出内部的透明玻璃,同时保留台阶面的黑玻璃层,即得到防光晕输入窗玻璃。本发明在玻璃配方不变的情况下,黑玻璃层的厚度取决于高温黑化的时间,一定范围内高温黑化的时间越长,黑玻璃层的厚度越厚。采用离子注入工艺,玻璃表面形成纳米孔道,增加了还原气体在玻璃中的扩散,减少黑化的高温时间,缩短了黑化所需的时间,进而加快防光晕台阶玻璃的黑化周期。

    陶瓷金属复合电子组件吸附装置、系统及垂直度测量方法

    公开(公告)号:CN108680120A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810258944.7

    申请日:2018-03-27

    IPC分类号: G01B11/26

    摘要: 本发明实施例是关于一种陶瓷金属复合电子组件吸附装置、系统及垂直度测量方法,涉及陶瓷金属复合电子组件测量技术领域,主要解决的技术问题是实现对陶瓷金属复合电子组件垂直度。柱形陶瓷金属复合电子组件吸附装置包括:吸合部,吸合部的吸合面用于将待测柱形陶瓷金属复合电子组件的顶面吸合;旋转部,其旋转动力输出端连接所述吸合部的旋转动力输入端,以驱动所述吸合部以旋转轴线转动。可与垂直度图像分析装置配合使用,便于垂直度图像分析装置对柱形陶瓷金属复合电子组件多个旋转角度拍摄,以测量柱形陶瓷金属复合电子组件的柱面垂直度。