多晶硅清洗装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113319058A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202110667440.2

    申请日:2021-06-16

    Abstract: 本发明提出一种多晶硅清洗装置包括清洗间,所述清洗间的进口处设有用于形成第一风淋防护门的第一喷气口,所述清洗间内设有清洗槽,所述清洗间具有惰性气体进口和废气出口,干燥间,所述清洗间的出口与所述干燥间的进口连通,所述干燥间的出口设有用于形成第二风淋防护门的第二喷气口,所述干燥间内设有干燥装置;和移动装置,所述移动装置包括第一机械臂和第二机械臂,所述第一机械臂可移动地设在所述清洗间内,所述第二机械臂可移动地设在所述干燥间内。因此,根据本发明实施例的多晶硅清洗装置具有降低人工劳动强度、便于多晶硅的清洗和包装,以及通过高密闭性从而防止多晶硅受到污染的优点。

    处理废水的方法和系统

    公开(公告)号:CN110078261A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910418342.8

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种处理废水的方法和系统,该方法包括:(1)将块料清洗机和/或硅芯清洗机酸洗所得的废酸与碱液进行中和处理,以便得到中和后废水;(2)将所述块料清洗机和/或所述硅芯清洗机水洗所得的含酸废水与所述中和后废水、沉降剂混合沉降,过滤后得到废渣和废液;(3)将废碱进行沉降处理,以便得到上清液和沉降渣;(4)将所述上清液与含碱废水、所述废液混合,以便得到配置碱液,并将所述配置碱液返回至步骤(1)作为所述碱液使用。采用该方法可减少酸洗废水处理量达60%,节约用水量达50%,减少新碱使用量达50%,具有优异的经济和环保效益。

    硅基电子产品的减压精馏装置及方法

    公开(公告)号:CN114669071B

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202210355468.7

    申请日:2022-04-06

    Abstract: 本发明提供一种硅基电子产品的减压精馏装置及方法,包括原料罐、精馏装置、产品罐和再冷却装置;精馏装置包括精馏塔、塔顶冷凝器和再沸器;再沸器的出口与精馏塔的塔底气相管连接;精馏塔的高低沸出料口连接有高低沸罐;塔顶冷凝器的冷凝物料出口分别与精馏塔的物料返回口和产品罐的产品入口连接;再冷却装置包括分别与所述原料罐的气体流通口、塔顶冷凝器的未冷凝气出口、产品罐的罐顶气体管道和高低沸罐的罐顶气体管道连接的冷阱、与冷阱的未冷凝气出口连接的缓冲罐、与缓冲罐连接的真空泵和与真空泵连接的深冷器。利用本发明能够解决现有技术中操作温度较高、生产过程加热介质的消耗量高、传统减压精馏装置流程长、控制不稳定等问题。

    模拟变温变压吸附器的方法及系统

    公开(公告)号:CN110046474B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN201910455355.2

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 本发明提供一种模拟变温变压吸附器的方法及系统,方法包括:输入虚拟的气体的边界条件;对变温变压吸附器和虚拟的气体进行初始化设置;根据当前模拟计算节点所处的过程进行模拟计算;在完成当前模拟计算节点的模拟计算后,根据目前所处的过程判断下一个模拟计算节点的位置,并向下一个模拟计算节点传递虚拟的气体的特征信息;进入下一个模拟计算节点并判断是否进入下一个过程,若是则将下一个过程作为当前模拟计算节点所处的过程并重新进入模拟计算步骤直至满足预定条件,否则直接重新进入模拟计算步骤直至满足预定条件;以及输出模拟计算结果。本发明解决了以往无法对变温变压吸附器进行精确模拟的问题,节省了设计时间和成本并提高了设计精度。

    用于硅基电子产品生产过程中的尾气处理系统及方法

    公开(公告)号:CN115414771A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202210961389.0

    申请日:2022-08-11

    Abstract: 本发明公开了一种用于硅基电子产品生产过程中的尾气处理系统及方法。系统包括依次相连的通过冷却介质对尾气进行换热处理的深冷器、对未冷凝气体进行热分解的热处理装置、以及对热分解产物进行水洗并将水洗后气体排出的水洗装置;深冷器尾气入口与硅基电子产品的生产系统尾气出口相连且管道上设有与尾气出口处压力连锁的调节阀,凝液出口与生产系统入口相连。采用本发明可满足连续或间歇性操作,适用于各种硅基电子产品生产过程排放的尾气,可处理含不溶于水或微溶于水物质的尾气,处理后气体满足外排要求,处理流程简单且稳定可控,保证了硅基电子产品生产过程的稳定性,避免了尾气中物料的浪费。

    光纤级四氯化硅及其制备方法

    公开(公告)号:CN106477584A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610880332.2

    申请日:2016-10-09

    CPC classification number: C01B33/10778 C01B33/10784 C01P2006/80

    Abstract: 本发明公开了一种光纤级四氯化硅及其制备方法。其中,该制备方法包括以下步骤:S1,将粗四氯化硅原料送入第一四氯化硅粗馏塔,低沸物通过塔顶物流管线进行脱除,得到的第一塔釜液输送至第二四氯化硅粗馏塔;S2,第一塔釜液经过第二四氯化硅粗馏塔分离后,塔釜金属杂质通过第二四氯化硅粗馏塔的塔底物流管道进行脱除,塔顶采出初级纯化的四氯化硅;S3,将初级纯化的四氯化硅送入吸附装置,得到次级纯化的四氯化硅;以及S4,将次级纯化的四氯化硅送入第一四氯化硅精馏塔,得到的第二塔釜液输送至第二四氯化硅精馏塔,从第二四氯化硅精馏塔的塔顶采出光纤级四氯化硅。应用本发明的技术方案,产品质量可达到99.9999%以上。

    用于硅基电子产品生产过程中的尾气处理系统及方法

    公开(公告)号:CN115414771B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202210961389.0

    申请日:2022-08-11

    Abstract: 本发明公开了一种用于硅基电子产品生产过程中的尾气处理系统及方法。系统包括依次相连的通过冷却介质对尾气进行换热处理的深冷器、对未冷凝气体进行热分解的热处理装置、以及对热分解产物进行水洗并将水洗后气体排出的水洗装置;深冷器尾气入口与硅基电子产品的生产系统尾气出口相连且管道上设有与尾气出口处压力连锁的调节阀,凝液出口与生产系统入口相连。采用本发明可满足连续或间歇性操作,适用于各种硅基电子产品生产过程排放的尾气,可处理含不溶于水或微溶于水物质的尾气,处理后气体满足外排要求,处理流程简单且稳定可控,保证了硅基电子产品生产过程的稳定性,避免了尾气中物料的浪费。

    处理废水的方法和系统
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110078261B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN201910418342.8

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种处理废水的方法和系统,该方法包括:(1)将块料清洗机和/或硅芯清洗机酸洗所得的废酸与碱液进行中和处理,以便得到中和后废水;(2)将所述块料清洗机和/或所述硅芯清洗机水洗所得的含酸废水与所述中和后废水、沉降剂混合沉降,过滤后得到废渣和废液;降渣;(4)将所述上清液与含碱废水、所述废液混合,以便得到配置碱液,并将所述配置碱液返回至步骤(1)作为所述碱液使用。采用该方法可减少酸洗废水处理量达60%,节约用水量达50%,减少新碱使用量达50%,具有优异的经济和环保效益。(3)将废碱进行沉降处理,以便得到上清液和沉

    硅基电子产品的减压精馏装置及方法

    公开(公告)号:CN114669071A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202210355468.7

    申请日:2022-04-06

    Abstract: 本发明提供一种硅基电子产品的减压精馏装置及方法,包括原料罐、精馏装置、产品罐和再冷却装置;精馏装置包括精馏塔、塔顶冷凝器和再沸器;再沸器的出口与精馏塔的塔底气相管连接;精馏塔的高低沸出料口连接有高低沸罐;塔顶冷凝器的冷凝物料出口分别与精馏塔的物料返回口和产品罐的产品入口连接;再冷却装置包括分别与所述原料罐的气体流通口、塔顶冷凝器的未冷凝气出口、产品罐的罐顶气体管道和高低沸罐的罐顶气体管道连接的冷阱、与冷阱的未冷凝气出口连接的缓冲罐、与缓冲罐连接的真空泵和与真空泵连接的深冷器。利用本发明能够解决现有技术中操作温度较高、生产过程加热介质的消耗量高、传统减压精馏装置流程长、控制不稳定等问题。

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