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公开(公告)号:CN102998649B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201210545586.0
申请日:2012-12-14
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明所设计的一种直流合成场测量仪的校准装置,它包括由下至上依次布置的直流场接地极、直流场高压极、控制极和离子流极、设置在直流场接地极中部的校准孔、设置在校准孔下方的支持平台,直流场接地极和直流场高压极之间设有第一绝缘支柱,直流场高压极和控制极之间设有第二绝缘支柱,控制极和离子流极之间设有第三绝缘支柱,直流场接地极上还设有多个与直流场接地极绝缘的离子流接受板。本发明在直流场接地极上表面可形成由静电场和空间电荷场叠加而成的直流合成场,该直流合成场可用于合成场测量仪的校准。通过校准后能消除直流合成场测量仪的测量误差。
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公开(公告)号:CN102998649A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201210545586.0
申请日:2012-12-14
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明所涉及的一种直流合成场测量仪的校准装置,它包括由下至上依次布置的直流场接地极、直流场高压极、控制极和离子流极、设置在直流场接地极中部的校准孔、设置在校准孔下方的支持平台,直流场接地极和直流场高压极之间设有第一绝缘支柱,直流场高压极和控制极之间设有第二绝缘支柱,控制极和离子流极之间设有第三绝缘支柱,直流场接地极上还设有多个与直流场接地极绝缘的离子流接受板。本发明在直流场接地极上表面可形成由静电场和空间电荷场叠加而成的直流合成场,该直流合成场可用于合成场测量仪的校准。通过校准后能消除直流合成场测量仪的测量误差。
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公开(公告)号:CN202948122U
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN201220695464.5
申请日:2012-12-14
IPC: G01R35/00
Abstract: 本实用新型所设计的一种直流合成场测量仪的校准装置,它包括由下至上依次布置的直流场接地极、直流场高压极、控制极和离子流极、设置在直流场接地极中部的校准孔、设置在校准孔下方的支持平台,直流场接地极和直流场高压极之间设有第一绝缘支柱,直流场高压极和控制极之间设有第二绝缘支柱,控制极和离子流极之间设有第三绝缘支柱,直流场接地极上还设有多个与直流场接地极绝缘的离子流接受板。本实用新型在直流场接地极上表面可形成由静电场和空间电荷场叠加而成的直流合成场,该直流合成场可用于合成场测量仪的校准。通过校准后能消除直流合成场测量仪的测量误差。
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