一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置

    公开(公告)号:CN112906327A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110069292.4

    申请日:2021-01-19

    IPC分类号: G06F30/33

    摘要: 本发明公开了一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置,属于电力电子与电力传动技术领域。本发明装置,包括:控制信号延时子电路,所述控制信号延时子电路接入控制信号及电流,并根据控制信号控制电流流入稳态子电路;稳态子电路,所述稳态子电路接入电流后,模拟MOSFET器件的开通及关断过程中漏源极电压及电流的变化,输出断态时漏源极电压及通态时漏源极电流;开通暂态子电路,所述开通态子电路以断态时漏源极电压作为控制对象,模拟MOSFET器件开通过程的漏源极电压;关断暂态子电路,所述关断暂态子电路以通态时漏源极电流作为控制对象,模拟MOSFET器件关断过程的漏源极电流。本发明体现了SIC MOSFET稳态工作特性及开通瞬态特性与关断瞬态特性。