一种模拟采样电路抗外部场强干扰的结构

    公开(公告)号:CN110519922B

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN201910749473.4

    申请日:2019-08-14

    Abstract: 本发明公开了一种模拟采样电路抗外部场强干扰的结构,包括,采样器件设置于PCB板上,模拟采样模块设置于PCB板上;信号线A和信号线B的两端分别与采样器件和模拟采样模块连接,所述信号线A和信号线B相互平行地嵌设在PCB板的两侧且在三维轴的Z轴上重叠,所述信号线A和信号线B在三维轴的X轴和Y轴上交叉走线,形成环路,从而抵消外部磁场对模拟采样电路采样操作带来的影响。本发明中的结构可以从X、Y、Z轴向抵消外部磁场对模拟采样电路采样操作带来的影响,同时避免了增加任何器件和生产步骤带来的麻烦,大幅提升了产品的可靠性,同时也不增加任何成本,非常适合大力的推广应用。

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