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公开(公告)号:CN111192954A
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN201811353021.6
申请日:2018-11-14
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: H01L41/18
摘要: 本专利涉及一种二维曲面状结构压电陶瓷复合材料结构,尤其涉及一种应用于换能器件的压电陶瓷复合材料结构;压电陶瓷复合材料结构包括双曲面状压电陶瓷块体;在所述双曲面状压电陶瓷块体的凸侧均匀切割有多个槽,槽与槽之间形成多个相互独立的陶瓷基元;槽内填充有高分子聚合物;所述双曲面状压电陶瓷块体的上下表面为相互平行的双曲面;本专利根据复合材料结构不同的使用用途,可选用不同型号压电块体和不同的填充聚合物,制作出不同类型的二维曲面状压电陶瓷复合材料结构。根据后端换能器器件声学特性的不同要求,可对压电陶瓷基元的横截面几何尺寸、切缝宽度以及基底厚度进行不同的设计,满足不同的带宽特性和发射电压响应特性等技术指标要求。
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公开(公告)号:CN110493698A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910788170.3
申请日:2019-08-26
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要: 本发明属于涉及一种高频宽带水声换能器器件,具体为一种高频宽带水声换能器及其制造方法。所述水声换能器包括从上至下依次平行安装在外壳内的匹配层、晶片背衬层以及透声包覆层;晶片为1-3-2型压电陶瓷复合材料结构,包括陶瓷基底,在陶瓷基底的上方生长有多个陶瓷基元,每两个陶瓷基元之间通过高分子聚合物连接;陶瓷基元上方设置有上电极;陶瓷基底下方设置有下电极,从下电极处经过背衬层和外壳引出水密电缆或水密接插件,将接收或者发射的电信号进行输入或者输出。本发明根据工作频率以及带宽特性的技术要求,对晶片和匹配层优化设计,应用于水下测速声纳以及探测声纳时,可进行宽带信号处理增加信息量、提高探测精度及增加探测范围等。
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公开(公告)号:CN110400868A
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:CN201910662503.8
申请日:2019-07-22
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: H01L41/053 , G10K9/122
摘要: 本专利涉及高频球形压电复合陶瓷结构,具体涉及一种球形压电陶瓷复合材料结构及其换能器件,球形压电陶瓷复合材料结构包括呈球形分布的多个压电陶瓷基元,每个压电陶瓷基元与其相邻压电陶瓷基元均匀间隔排列;每两个压电陶瓷基元之间通过高分子聚合物连接;其中,球形分布的多个压电陶瓷基元可以由球冠状压电复合材料和双曲面压电复合材料拼接而成;根据球形压电陶瓷复合材料结构和使用用途,可选用不同型号压电块体和不同的填充聚合物,球形压电陶瓷复合材料结构;也可对压电陶瓷基元的横截面几何尺寸、压电陶瓷占比进行设计,可研制出高频全向换能器件,应用于水下成像声纳以及探测声纳时,可减小声呐的探测死角、增加探测精度及探测范围。
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公开(公告)号:CN210778680U
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201921152858.4
申请日:2019-07-22
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: H01L41/053 , G10K9/122
摘要: 本专利涉及高频球形压电复合陶瓷结构,具体涉及一种球形压电陶瓷复合材料结构及其换能器件,球形压电陶瓷复合材料结构包括呈球形分布的多个压电陶瓷基元,每个压电陶瓷基元与其相邻压电陶瓷基元均匀间隔排列;每两个压电陶瓷基元之间通过高分子聚合物连接;其中,球形分布的多个压电陶瓷基元可以由球冠状压电复合材料和双曲面压电复合材料拼接而成;根据球形压电陶瓷复合材料结构和使用用途,可选用不同型号压电块体和不同的填充聚合物,球形压电陶瓷复合材料结构;也可对压电陶瓷基元的横截面几何尺寸、压电陶瓷占比进行设计,可研制出高频全向换能器件,应用于水下成像声纳以及探测声纳时,可减小声呐的探测死角、增加探测精度及探测范围。
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公开(公告)号:CN208970560U
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201821872881.6
申请日:2018-11-14
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: H01L41/18
摘要: 本专利涉及一种二维曲面状结构压电陶瓷复合材料结构,尤其涉及一种应用于换能器件的压电陶瓷复合材料结构;压电陶瓷复合材料结构包括双曲面状压电陶瓷块体;在所述双曲面状压电陶瓷块体的凸侧均匀切割有多个槽,槽与槽之间形成多个相互独立的陶瓷基元;槽内填充有高分子聚合物;所述双曲面状压电陶瓷块体的上下表面为相互平行的双曲面;本专利根据复合材料结构不同的使用用途,可选用不同型号压电块体和不同的填充聚合物,制作出不同类型的二维曲面状压电陶瓷复合材料结构。根据后端换能器器件声学特性的不同要求,可对压电陶瓷基元的横截面几何尺寸、切缝宽度以及基底厚度进行不同的设计,满足不同的带宽特性和发射电压响应特性等技术指标要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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