公开(公告)号：CN110047828A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910290550.4

申请日：2019-04-11

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 马艺珂 ,  刘湖云 ,  周昕杰 ,  梁海莲

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明公开一种基于SOI工艺的RC耦合触发双向瞬态电压抑制器，属于集成电路技术领域。本发明充分利用RC耦合电路和高掺杂注入区反向击穿电压低的原理降低触发电压，结合SCR结构的ESD鲁棒性强的优点，通过引入横向PNP型BJT，削弱了SCR的正反馈，提高维持电压，增强ESD鲁棒性。利用SOI层寄生参数小，功耗低，抗辐照等优势，进一步提高器件的性能。此外，通过设计器件结构实现全对称，器件可在正、反向ESD应力作用下，形成具有相同电学特性的SCR电流泄放路径，不仅可以减小ESD器件的芯片面积，还可以实现ESD脉冲的双向防护。

公开(公告)号：CN110047828B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910290550.4

申请日：2019-04-11

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 马艺珂 ,  刘湖云 ,  周昕杰 ,  梁海莲

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明公开一种基于SOI工艺的RC耦合触发双向瞬态电压抑制器，属于集成电路技术领域。本发明充分利用RC耦合电路和高掺杂注入区反向击穿电压低的原理降低触发电压，结合SCR结构的ESD鲁棒性强的优点，通过引入横向PNP型BJT，削弱了SCR的正反馈，提高维持电压，增强ESD鲁棒性。利用SOI层寄生参数小，功耗低，抗辐照等优势，进一步提高器件的性能。此外，通过设计器件结构实现全对称，器件可在正、反向ESD应力作用下，形成具有相同电学特性的SCR电流泄放路径，不仅可以减小ESD器件的芯片面积，还可以实现ESD脉冲的双向防护。