公开(公告)号：CN119866081A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510049704.6

申请日：2025-01-13

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘博缘 ,  杨晓红 ,  王睿 ,  马向 ,  齐合飞 ,  杨瑾 ,  何雨杭 ,  王硕

IPC: H10F30/225 ,  H10F77/14 ,  H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00 ,  H10F77/124 ,  H10F77/42

Abstract: 本发明涉及高速高增益的三台阶背入射雪崩光电探测器及其制备方法，属于半导体器件领域，包括包括探测器芯片，所述探测器芯片包括从下至上层叠的本征InP衬底、N型InAlAs欧姆接触层、本征InAlAs渡越层、N型InAlAs电荷层、本征InAlAs倍增层、P型InAlAs电荷层、本征InAlGaAs过渡层、本征InGaAs吸收层、梯度掺杂的P型InGaAs吸收层和P型InAlAs欧姆接触层；本发明使用0.12μm厚的InAlAs作倍增层制备的APD，在0.9倍击穿电压下暗电流低于10nA的同时，增益带宽积可达210GHz，能够实现高速高增益的效果。

公开(公告)号：CN119866080A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510049434.9

申请日：2025-01-13

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘博缘 ,  杨晓红 ,  王睿 ,  马向 ,  齐合飞 ,  杨瑾 ,  何雨杭 ,  王硕

IPC: H10F30/225 ,  H10F77/14 ,  H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00 ,  H10F77/124

Abstract: 本发明涉及高速低暗电流三级台阶结构雪崩光电探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括从下至上层叠的本征InP衬底、N型InAlAs欧姆接触层、本征InAlAs渡越层、N型InAlAs电荷层、本征InAlAs倍增层、P型InAlAs电荷层、本征InAlGaAs过渡层、本征InGaAs吸收层、梯度掺杂的P型InGaAs吸收层和P型InAlAs欧姆接触层；本征InGaAs吸收层8和N型InAlAs欧姆接触层2均为台阶结构以形成光电探测器的三级台阶结构；本发明通过在光入射面生长折射率为1.85的210nm厚的SiNx增透膜，可以使入射光的反射率小于1％。对于1550nm波长的光信号，单次光吸收量子效率可达0.45。