适用于多级电站衔接段穿河的地下调节池结构

    公开(公告)号:CN118390475A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410662974.X

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 本发明属于水电站工程技术领域,具体涉及一种适用于多级电站衔接段穿河的地下调节池结构。本发明包括上一级电站地下厂房,上一级电站地下厂房的上游侧与上一级电站压力管道衔接,上一级电站地下厂房的下游侧上部由母线洞连接主变室,上一级电站地下厂房的下游侧下部由尾水连接洞连接尾水洞,尾水洞的下游端与下一级电站的地下调节池衔接;尾水连接洞采用前无压后有压型式,尾水连接洞底板的坡比设置为1:10至1:1.732;尾水洞为有压隧洞,尾水洞采用陡压坡穿河的布置形式,尾水洞底板的坡比设置为1:10至1:1.732;地下调节池的下游侧对应连接下一级电站引水隧洞,下一级电站引水隧洞为有压隧洞。本发明施工难度小,且结构长期安全运行有保障。

    适用于多级电站穿活动断裂的地下调节池结构

    公开(公告)号:CN118390474A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410662971.6

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 本发明属于水电站工程技术领域,具体涉及一种适用于多级电站穿活动断裂的地下调节池结构,包括上一级电站地下厂房,上一级电站地下厂房的上游侧与上一级电站压力管道衔接,上一级电站地下厂房的下游侧上部由母线洞连接主变室,上一级电站地下厂房的下游侧下部由尾水连接洞连接尾水洞,尾水洞的下游端与下一级电站的地下调节池衔接;尾水连接洞采用前无压后有压型式,尾水连接洞底板的坡比设置为1:10至1:1.732;尾水洞为有压隧洞,尾水洞采用陡压坡穿河的布置形式,尾水洞底板的坡比设置为1:10至1:1.732;地下调节池的上部下游侧连接具有低水头的下一级电站引水隧洞,下一级电站引水隧洞为有压隧洞。本发明施工难度小,且结构长期安全运行有保障。

    一种湿度敏感射频芯片的封装方法及其应用

    公开(公告)号:CN118305888A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410409410.5

    申请日:2024-04-07

    Abstract: 本发明公开了一种湿度敏感射频芯片的封装方法及其应用,涉及集成电路封装技术领域,包括以下步骤:(1)将封装基础原料、激发剂、造孔剂混合搅拌均匀,得到混合物料;(2)将上述混合物料分两次等量倒入模具中,在两次注浆间隙,将湿度传感射频芯片植入模具中;(3)养护至上述浆体硬化后脱模,继续在热水中进行湿养护,擦干封装射频芯片后置于烘箱中加热至恒重,即得到封装湿度敏感射频芯片。制备的内部湿度敏感射频芯片可以无源无线进行湿度数据采集与传输,还可以利用其全球唯一的ID号,对混凝土试块进行有效信息储存与身份标识,以便机器识别,进行无人试验。

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