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公开(公告)号:CN117352725A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202210753976.0
申请日:2022-06-28
IPC分类号: H01M4/587 , H01M10/0525 , C01B32/05
摘要: 本发明涉及锂电池技术领域,公开了一种碳负极材料及其制备方法和锂电池。所述碳负极材料为层状材料,所述碳负极材料(002)晶面间距为0.333‑0.380nm,所述碳负极材料的碳层厚度为2‑5nm,所述碳负极材料的结晶度为30‑90。碳负极材料的制备方法包括以下步骤:(1)将碱金属、过渡金属单质和二氧化碳进行反应,得到反应产物;(2)将所述反应产物进行酸洗、水洗、干燥,得到所述碳负极材料。将本发明提供的碳负极材料应用于锂电池中,具有高比容量、高库伦效率和优异的充放电循环特性。
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公开(公告)号:CN117976835A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202211311605.3
申请日:2022-10-25
IPC分类号: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要: 本发明涉及锂离子电池技术领域,公开了一种锗‑硼掺杂的纳米硅材料以及制备方法和应用。一种锗‑硼掺杂的纳米硅材料,所述纳米硅材料包括锗掺杂的纳米硅内核和锗‑硼掺杂的纳米硅表层;其中,锗‑硼掺杂的纳米硅表层的厚度为0.5‑20nm;锗掺杂的纳米硅内核和表层的总厚度为50‑1000nm。本发明提供的锗‑硼掺杂的纳米硅材料应用于锂电池中,具有高首次库伦效率和优异的循环稳定性。
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公开(公告)号:CN117963928A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202211312515.6
申请日:2022-10-25
IPC分类号: C01B33/02 , H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y30/00
摘要: 本发明涉及纳米材料领域,公开了一种纳米硅材料及其制备方法和应用。一种纳米硅材料,该纳米硅材料包括纳米硅和其表面修饰的磷元素;其中,以磷元素的总量为基准,从纳米硅材料表面至径向向内1/2r范围之间,磷元素的含量为60‑90重量%,从纳米硅材料表面径向向内1/2r至径向向内r范围之间,磷元素的含量为10‑40重量%,r为磷元素的表面修饰厚度,20nm≥r≥1nm。本发明提供的纳米硅材料应用于锂离子电池中,具有大的比容量、高首次库伦效率以及优异的循环稳定性。
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