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公开(公告)号:CN113113536A
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN202110371967.0
申请日:2021-04-07
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种透明多值非易失阻变存储单元及其制备方法,属于半导体固态存储器技术领域。存储单元由底电极、铁电单晶层、阻变层和顶电极所构成;底电极制备在铁电单晶层的下表面,阻变层制备在铁电单晶层的上表面;阻变层上制备有两个电极构成的顶电极。两个顶电极作为电阻状态的读取电极,其中一个顶电极与底电极一起构成了电阻状态的写入电极。组成存储单元的各个部分皆选用透明的材料。该存储单元具有结构简单、稳定性强、透明、非易失性以及可以工作在室温的特点。