一种基于核磁共振T2谱的岩石单轴抗压强度计算方法

    公开(公告)号:CN117705855A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311793426.2

    申请日:2023-12-22

    IPC分类号: G01N24/08 G01N3/08

    摘要: 本发明公开一种基于核磁共振T2谱的岩石单轴抗压强度计算方法,属于岩石物理及测井领域。该方法包括以下几个步骤:(1)将岩石制作成圆柱状,将其烘干后饱和氯化钠溶液;(2)采用低场核磁共振仪测量圆柱状岩石完全饱和氯化钠溶液的核磁共振T2谱,并将其刻度成核磁共振孔隙度,计算T2几何平均值;(3)将圆柱状岩石放入烘箱再次烘干,采用岩石力学仪对烘干后的圆柱状岩石进行单轴应力加载,得到其单轴抗压强度;(4)分析单轴抗压强度与核磁共振孔隙度和T2几何平均值的关系,建立基于核磁共振T2谱的岩石单轴抗压强度计算模型。本发明能够快速无损的得到岩石单轴抗压强度,在地质勘探、岩土、建筑和地质工程等领域具有较强的应用和推广价值。

    一种岩石T1-T2-D三维核磁共振响应正演模拟方法

    公开(公告)号:CN117871579A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311782278.4

    申请日:2023-12-22

    IPC分类号: G01N24/08 G06F17/11 G06F17/18

    摘要: 本发明公开一种岩石T1‑T2‑D三维核磁共振响应正演模拟方法,该方法包括岩石的孔径分布及流体赋存状态数值模型建立、弛豫时间和孔隙半径的等效积分方程建立、基于弛豫时间和孔隙半径等效积分方程的T1‑T2‑D三维核磁共振响应公式推导、改变流体及孔隙结构参数开展不同条件的岩石T1‑T2‑D三维核磁共振响应正演模拟四个部分。本发明可以实现任意复杂情况的岩石T1‑T2‑D三维核磁共振响应的研究和分析,为明确孔隙结构和流体信息对T1‑T2‑D三维核磁共振响应的影响,进而建立相关的孔隙结构评价方法和流体识别方法提供理论依据;本发明打破常规测井和传统低维核磁共振测量无法区分流体性质的局限性,为复杂及非常规油气的勘探开发提供新思路。

    一种LED晶片分选系统及其分选方法

    公开(公告)号:CN112317339A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202010949004.X

    申请日:2020-09-10

    摘要: 本发明公开一种LED晶片分选系统,涉及LED分选技术领域,包括:晶片供给区,晶片摆放区,位于晶片供给区和晶片摆放区之间的摆臂驱动机构,由摆臂驱动机构驱动的摆臂,位于晶片供给区上方的第一CCD相机,位于晶片摆放区上方的第二CCD相机,用于采集第一CCD相机和第二CCD相机的图像采集卡,工控机,运动控制卡,电机驱动器以及电机;本发明还公开一种基于此系统的分选方法,包括工作台定位、摆臂旋转、晶片拾取与摆放过程,在晶片拾取时,吸嘴和顶针同时上升的过程中,所述顶针的加速度大于所述吸嘴的加速度;本发明解决了目前LED晶片分选系统以及分选方法精确度和速度不高的问题,同时减小了LED晶片漏检率。

    一种基于稳态自由进动的T1-T2二维核磁共振脉冲施加方法

    公开(公告)号:CN118377059A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410424635.8

    申请日:2024-04-10

    IPC分类号: G01V3/32 G01V3/38

    摘要: 本发明公开了一种基于稳态自由进动的T1‑T2二维核磁共振脉冲施加方法,属于核磁共振和地球物理领域,包括以下步骤:将样品放入磁体,设置序列参数并施加。二维脉冲序列在时间轴上分为两个时序窗口,第一个窗口由1个180°、1个‑(α/2)和多个α脉冲组成。180°脉冲和‑(α/2)脉冲的时间间隔为TI,‑(α/2)脉冲和α脉冲之间的间隔为TR/2,后面多个α脉冲之间的间隔为TR,该窗口主要用于加载T1信息;第二个窗口由一个90°脉冲和若干180°脉冲组成,90°脉冲和第一个180°脉冲的时间间隔为TE/2,两个相邻的180°脉冲的间隔为TE,该窗口加载T2信息。采集数据并处理,最后进行反演得到T1‑T2谱。本发明采用低重聚角、欠扳转脉冲发射功率,无需完全极化,能够在更短的时间内实现T1‑T2测量。

    一种LED晶片分选系统及其分选方法

    公开(公告)号:CN112317339B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202010949004.X

    申请日:2020-09-10

    摘要: 本发明公开一种LED晶片分选系统,涉及LED分选技术领域,包括:晶片供给区,晶片摆放区,位于晶片供给区和晶片摆放区之间的摆臂驱动机构,由摆臂驱动机构驱动的摆臂,位于晶片供给区上方的第一CCD相机,位于晶片摆放区上方的第二CCD相机,用于采集第一CCD相机和第二CCD相机的图像采集卡,工控机,运动控制卡,电机驱动器以及电机;本发明还公开一种基于此系统的分选方法,包括工作台定位、摆臂旋转、晶片拾取与摆放过程,在晶片拾取时,吸嘴和顶针同时上升的过程中,所述顶针的加速度大于所述吸嘴的加速度;本发明解决了目前LED晶片分选系统以及分选方法精确度和速度不高的问题,同时减小了LED晶片漏检率。