公开(公告)号：CN112011714A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010912959.8

申请日：2020-09-02

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 曹宁 ,  刘鹏 ,  臧晓蓓 ,  蔡鲲鹏 ,  王桂丽 ,  李格

IPC分类号： C22C30/00 ,  C23C16/458 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194

摘要： 本发明涉及新材料领域，具体公开了一种用于制备高质量石墨烯的衬底及其制备方法，所述的衬底为采用电弧熔炼法制备FeCoNiCun高熵合金块，通过机械打磨、抛光、清洗和退火获得FeCoNiCun高熵合金薄片；利用该薄片作为衬底，利用CVD法生长石墨烯，获得具有连续性好、晶化程度高、缺陷和褶皱数量少的高质量石墨烯；利用本发明所提供的衬底制得的石墨烯，无需聚合物辅助即可转移至SiO2/Si片上，轻松实现石墨烯的表征与器件应用。

公开(公告)号：CN112011714B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010912959.8

申请日：2020-09-02

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 曹宁 ,  刘鹏 ,  臧晓蓓 ,  蔡鲲鹏 ,  王桂丽 ,  李格

IPC分类号： C22C30/00 ,  C23C16/458 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194

摘要： 本发明涉及新材料领域，具体公开了一种用于制备高质量石墨烯的衬底及其制备方法，所述的衬底为采用电弧熔炼法制备FeCoNiCun高熵合金块，通过机械打磨、抛光、清洗和退火获得FeCoNiCun高熵合金薄片；利用该薄片作为衬底，利用CVD法生长石墨烯，获得具有连续性好、晶化程度高、缺陷和褶皱数量少的高质量石墨烯；利用本发明所提供的衬底制得的石墨烯，无需聚合物辅助即可转移至SiO2/Si片上，轻松实现石墨烯的表征与器件应用。