用于电容去离子电极氮掺杂自缩式3D石墨烯及制备方法

    公开(公告)号:CN109665521A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811501447.1

    申请日:2018-12-10

    申请人: 吉林大学

    IPC分类号: C01B32/194 C02F1/469

    摘要: 本发明公开一种用于电容去离子电极氮掺杂自缩式3D石墨烯及制备方法,通过加入吡咯为多孔石墨烯水凝胶合成过程中提供氮掺杂的氮源;氮掺杂在石墨烯的边缘和缺陷部位引入了氮原子,从而改善了石墨烯的电学性能和化学性能;吡咯能够防止石墨烯片层在合成和自收缩的过程中出现自堆积现象,避免孔结构在自收缩过程中的坍塌过度,从而避免了由此产生的电学和吸附性质劣化;解决了现有三维石墨烯孔结构较大,其在脱盐过程中不能更好的与阴阳离子作用,从而影响了三维石墨烯的CDI能力问题;相比于其他干燥方式,冷冻干燥处理有效地保持了石墨烯内部的孔洞结构。

    用于电容去离子电极氮掺杂自缩式3D石墨烯及制备方法

    公开(公告)号:CN109665521B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201811501447.1

    申请日:2018-12-10

    申请人: 吉林大学

    IPC分类号: C01B32/194 C02F1/469

    摘要: 本发明公开一种用于电容去离子电极氮掺杂自缩式3D石墨烯及制备方法,通过加入吡咯为多孔石墨烯水凝胶合成过程中提供氮掺杂的氮源;氮掺杂在石墨烯的边缘和缺陷部位引入了氮原子,从而改善了石墨烯的电学性能和化学性能;吡咯能够防止石墨烯片层在合成和自收缩的过程中出现自堆积现象,避免孔结构在自收缩过程中的坍塌过度,从而避免了由此产生的电学和吸附性质劣化;解决了现有三维石墨烯孔结构较大,其在脱盐过程中不能更好的与阴阳离子作用,从而影响了三维石墨烯的CDI能力问题;相比于其他干燥方式,冷冻干燥处理有效地保持了石墨烯内部的孔洞结构。