一种纳米金属阀门封装的锂硫电池正极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105006557B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201510245187.6

    申请日:2015-05-14

    Abstract: 本发明涉及一种纳米金属阀门封装的锂硫电池正极材料的制备方法,第一步采用“模板法”制备介孔二氧化硅载体;第二步采用有机硅烷分子对介孔二氧化硅经过表面改性;第三步采用真空热处理法将单质硫注入介孔二氧化硅的孔道中或空腔中;第四步磁性纳米Fe3O4粒子的合成与表面改性;第五步纳米金属阀门对介孔二氧化硅孔口的封闭。本发明将这种复合材料应用于锂硫电池,利用介孔二氧化硅的高比表面积,解决锂硫电池正极复合材料中硫含量较低的问题,并抑制硫在充放电过程中的体积膨胀,同时纳米阀门的引入可以抑制多硫化物的溶解,提高了锂硫电池的循环稳定性。

    纳米阀门封装的硫介孔二氧化硅复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104900845A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510245188.0

    申请日:2015-05-14

    CPC classification number: H01M4/134 H01M4/483 H01M2004/021

    Abstract: 本发明涉及纳米阀门封装的硫介孔二氧化硅复合材料的制备方法,第一步采用“模板法”制备介孔二氧化硅载体;第二步采用有机硅烷链分子对介孔二氧化硅经过表面改性;第三步采用真空热处理法将单质硫注入介孔二氧化硅的孔道中或空腔中;第四步再采用α-环糊精作为纳米阀门,封闭介孔二氧化硅的孔口。本发明将这种复合材料应用于锂硫电池,利用介孔二氧化硅的高比表面积,解决目前存在的锂硫电池正极复合材料中硫含量较低的问题,并抑制硫在充放电过程中的体积膨胀,同时纳米阀门的引入可以抑制多硫化物的溶解,提高了锂硫电池的循环稳定性。

    氮磷共掺杂具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法

    公开(公告)号:CN103183330A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201310112429.5

    申请日:2013-04-02

    Abstract: 一种氮磷共掺杂具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法,制备步骤为:(1)将碳源、可溶性金属盐、催化剂按照摩尔比溶于溶剂中,搅拌至完全溶解后转移至水热反应釜水热合成,将得到的沉淀物清洗、过滤、干燥,得到初级产品;(2)高温反应炉中将得到的初级产品在气体保护下高温还原;(3)将高温还原得到的产品置于酸性溶液中浸泡后,清洗、过滤、干燥,即得到氮磷共掺杂具有空心结构的石墨化碳球。本发明制得的空心结构石墨化碳球具有形貌均匀、碳壳具有微孔结构、碳球内部具有介孔碳支撑结构、石墨化程度良好等优点,可用于高效催化转化、能源存储及转换、药物释控、物质吸附分离等众多领域。无模板水热合成技术简单可控,能够用于大规模生产。

    一种半导体片材的表面缺陷及厚度检测方法及装置

    公开(公告)号:CN103543162A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201310542491.8

    申请日:2013-11-05

    Abstract: 一种半导体片材的表面缺陷及厚度检测方法及装置,属于材料表面缺陷及厚度的检测方法及装置。所述装置采取的具体技术方案是:装置包括工装、控制柜、计算机和连接缆线;工装、控制柜、计算机通过连接缆线顺序连接。所述装置的检测原理:利用绿色激光的透射原理间接反馈平面片材的高度值信号,通过一系列公式计算出半导体片材的表面缺陷及厚度。所述检测方法包括:测试平台水平校准方法、激光发生器和激光接收器同步运行的方法、半导体片材表面缺陷及厚度的检测方法,半导体片材表面缺陷及厚度的计算方法。该检测装置简单、实用、易于操作、检测精度高、重复性好、样品要求低、杂质及污染影响小,非常适合科研需求。

    纳米阀门封装的硫介孔二氧化硅复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104900845B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510245188.0

    申请日:2015-05-14

    Abstract: 本发明涉及纳米阀门封装的硫介孔二氧化硅复合材料的制备方法,第一步采用“模板法”制备介孔二氧化硅载体;第二步采用有机硅烷链分子对介孔二氧化硅经过表面改性;第三步采用真空热处理法将单质硫注入介孔二氧化硅的孔道中或空腔中;第四步再采用α‑环糊精作为纳米阀门,封闭介孔二氧化硅的孔口。本发明将这种复合材料应用于锂硫电池,利用介孔二氧化硅的高比表面积,解决目前存在的锂硫电池正极复合材料中硫含量较低的问题,并抑制硫在充放电过程中的体积膨胀,同时纳米阀门的引入可以抑制多硫化物的溶解,提高了锂硫电池的循环稳定性。

    氮磷共掺杂具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法

    公开(公告)号:CN103183330B

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201310112429.5

    申请日:2013-04-02

    Abstract: 一种氮磷共掺杂具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法,制备步骤为:(1)将碳源、可溶性金属盐、催化剂按照摩尔比溶于溶剂中,搅拌至完全溶解后转移至水热反应釜水热合成,将得到的沉淀物清洗、过滤、干燥,得到初级产品;(2)高温反应炉中将得到的初级产品在气体保护下高温还原;(3)将高温还原得到的产品置于酸性溶液中浸泡后,清洗、过滤、干燥,即得到氮磷共掺杂具有空心结构的石墨化碳球。本发明制得的空心结构石墨化碳球具有形貌均匀、碳壳具有微孔结构、碳球内部具有介孔碳支撑结构、石墨化程度良好等优点,可用于高效催化转化、能源存储及转换、药物释控、物质吸附分离等众多领域。无模板水热合成技术简单可控,能够用于大规模生产。

    一种分等级中空Nb3O7F纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103303977B

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201310228159.4

    申请日:2013-06-07

    Abstract: 一种分等级中空Nb3O7F纳米材料的制备方法,属于Nb3O7F纳米材料的制备方法。采用直接氧化刻蚀NbB2陶瓷的方法,通过化学反应,原位自组装生成中空Nb3O7F纳米材料,步骤如下:1)选取NbB2作为铌源,以热分解可产生氧气的物质作为氧源,以强腐蚀性氢氟酸作为氟源;2)配置氧源溶液,并添加表面活性剂,充分搅拌溶解;3)称取NbB2陶瓷粉,加入到上述溶液中;4)然后添加强腐蚀性氢氟酸到上述溶液中,并搅拌充分;5)将上述溶液转移到反应釜中进行水热反应;6)反应结束后,将产物过滤,并用去离子水和乙醇清洗,在烘箱中干燥,即得到分等级中空Nb3O7F纳米材料。方法过程简单,操作条件易于控制,实现了低温下原位制备Nb3O7F纳米材料,无需后续的热处理,可用于大批量生产。

    一种磷掺杂具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法

    公开(公告)号:CN103183342A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201310114192.4

    申请日:2013-04-02

    Abstract: 一种磷掺杂具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法,制备步骤为:(1)将碳源、可溶性金属盐、催化剂按照摩尔比溶于溶剂中,搅拌至完全溶解后转移至水热反应釜水热合成,将得到的沉淀物清洗、过滤、干燥,得到初级产品;(2)高温反应炉中将得到的初级产品在气体保护下高温还原;(3)将高温还原得到的产品置于酸性溶液中浸泡后,清洗、过滤、干燥,即得到磷掺杂具有空心结构的石墨化碳球。本发明制得的空心结构石墨化碳球具有形貌均匀、碳壳具有微孔结构、碳球内部具有介孔碳支撑结构、石墨化程度良好等优点,可用于高效催化转化、能源存储及转换、药物释控、物质吸附分离等众多领域。所发明的无模板水热合成技术简单可控,能够用于大规模生产。

    一种氮掺杂具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法

    公开(公告)号:CN103183341A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201310113333.0

    申请日:2013-04-02

    Abstract: 一种氮掺杂具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法,制备步骤为:(1)将碳源、可溶性金属盐、催化剂按照摩尔比溶于溶剂中,搅拌至完全溶解后转移至水热反应釜水热合成,将得到的沉淀物清洗、过滤、干燥,得到初级产品;(2)高温反应炉中将得到的初级产品在气体保护下高温还原;(3)将高温还原得到的产品置于酸性溶液中浸泡后,清洗、过滤、干燥,即得到氮掺杂的具有空心结构的石墨化碳球。本发明制得的空心结构石墨化碳球具有形貌均匀、碳壳具有微孔结构、碳球内部具有介孔碳支撑结构、石墨化程度良好等优点,可用于高效催化转化、能源存储及转换、药物释控、物质吸附分离等众多领域。所发明的无模板水热合成技术简单可控,能够用于大规模生产。

    一种半导体片材的表面缺陷及厚度检测方法及装置

    公开(公告)号:CN103543162B

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201310542491.8

    申请日:2013-11-05

    Abstract: 一种半导体片材的表面缺陷及厚度检测方法及装置,属于材料表面缺陷及厚度的检测方法及装置。所述装置采取的具体技术方案是:装置包括工装、控制柜、计算机和连接缆线;工装、控制柜、计算机通过连接缆线顺序连接。所述装置的检测原理:利用绿色激光的透射原理间接反馈平面片材的高度值信号,通过一系列公式计算出半导体片材的表面缺陷及厚度。所述检测方法包括:测试平台水平校准方法、激光发生器和激光接收器同步运行的方法、半导体片材表面缺陷及厚度的检测方法,半导体片材表面缺陷及厚度的计算方法。该检测装置简单、实用、易于操作、检测精度高、重复性好、样品要求低、杂质及污染影响小,非常适合科研需求。

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