表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118083956A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410508381.8

    申请日:2024-04-26

    摘要: 本发明属于氟化碳材料技术领域,公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为:于惰性气氛中,将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理,获得混合物;于惰性气氛中,将所述混合物于200~500℃下进行热处理,即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理,使氮源在热处理过程中分解产生气体,成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳,降低了表面C‑F共价键和C‑F2\C‑F3非活性基团,形成了高导电石墨畴界面,引入适当的缺陷和氮掺杂,显著提升氟化碳的离子/电子导电性,降低锂/氟化碳一次电池的初始电压滞后性,提高放电电压平台。

    一种含硼化合物的锂/氟化碳电池电解液及其制备方法

    公开(公告)号:CN118054031A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202410451066.6

    申请日:2024-04-16

    IPC分类号: H01M6/16 H01M6/00

    摘要: 本发明属于锂/氟化碳一次电池技术领域,具体涉及一种含硼化合物的锂/氟化碳电池电解液及其制备方法,本发明在常规锂/氟化碳电池电解液中配制含有1wt%~3wt%的硼酸三苯酯或三(五氟苯基)硼烷添加剂,可以有效的俘获F‑,从而溶解反应产物LiF,提高Li+的扩散速度,进而提高大电流放电平台电压、比容量和能量密度。本发明发现了一种新型的和低成本含硼原子化合物的添加剂,同时添加剂添加时操作十分简单,易于实现规模生产。

    铌钨氧化物材料在制备热电池正极材料中的应用

    公开(公告)号:CN118335965A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410442819.7

    申请日:2024-04-12

    摘要: 本发明涉及热电池技术领域,具体来说是铌钨氧化物材料在制备热电池正极材料中的应用。本发明将电池级Nb2O5与纳米WO3混合后研磨,并经筛分后得到混合粉末;将混合粉末进行热处理,得到三种铌钨氧化物材料,分别为Nb12WO33、Nb14W3O44或Nb18W16O93。采用本发明的方法能够同时合成三种不同的铌钨氧化物,且制得的铌钨氧化物材料均具有Wadsley‑Roth相所特有的剪切状结构,内部形成3D的无限隧道,以供锂离子快速传输,三种铌钨氧化物材料热稳定高、不易溶于电解质且不吸水,均具有优异的电化学性能,首次被作为热电池正极材料进行应用。

    一种含氢氟醚添加剂的锂/氟化碳电池电解液

    公开(公告)号:CN117913304A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410308740.5

    申请日:2024-03-19

    IPC分类号: H01M6/16 H01M6/00

    摘要: 本发明属于锂/氟化碳一次电池技术领域,具体涉及一种含氢氟醚添加剂的锂/氟化碳电池电解液,本发明在常规锂/氟化碳电池电解液中配制含有5wt%~7wt%的添加剂乙基全氟丁基醚,能够降低电解液与氟化碳电极材料的接触角,从而提高Li+扩散速率,使得氟化碳释放更多的容量,同时能拓宽锂/氟化碳电池的宽温应用,提高浸润性,进一步改善锂/氟化碳电池放电性能,而且该添加剂容易获得,危害性小,成本低,可以实现大规模生产。

    一种锂/氟化碳电池用的高熵电解液及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118073590A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410479874.3

    申请日:2024-04-22

    IPC分类号: H01M6/16

    摘要: 本发明属于锂原电池技术领域,公开一种锂/氟化碳电池用的高熵电解液及其制备方法和应用;所述高熵电解液的制备原料由阴离子电解质复合锂盐和醚溶剂组成;所述阴离子电解质复合锂盐为双氟磺酰亚胺锂、四氟硼酸锂、双三氟甲烷磺酰亚胺锂、二氟草酸硼酸锂、硝酸锂、二草酸硼酸锂、二氟磷酸锂和六氟磷酸锂中的任意四种或四种以上按照等摩尔比混合获得的锂盐混合物;阴离子电解质复合锂盐与醚溶剂的用量比为0.4~1.6mol:1L。本发明的高熵电解液相对于单盐电解液而言,减缓了脱溶剂化过程,提高了第二个放电反应平台的反应电位,改善了锂离子的电导率、迁移数及扩散系数,提高了锂/氟化碳电池的放电容量、能量密度和高/低温放电性能。

    表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118083956B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410508381.8

    申请日:2024-04-26

    摘要: 本发明属于氟化碳材料技术领域,公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为:于惰性气氛中,将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理,获得混合物;于惰性气氛中,将所述混合物于200~500℃下进行热处理,即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理,使氮源在热处理过程中分解产生气体,成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳,降低了表面C‑F共价键和C‑F2\C‑F3非活性基团,形成了高导电石墨畴界面,引入适当的缺陷和氮掺杂,显著提升氟化碳的离子/电子导电性,降低锂/氟化碳一次电池的初始电压滞后性,提高放电电压平台。