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公开(公告)号：CN104811182B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510238187.3
申请日：2015-05-11
Applicant: 中国矿业大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明是基于基本电路元件和有源芯片组成的耦合系数可以平滑调节的磁通耦合型忆容器模拟器，属于电子与信息产品。磁通耦合型忆容器模拟器包括两个磁通控制的忆容模拟器。利用耦合接口和耦合电位器，通过引入另一个模拟器中的磁链信号实现两个忆容模拟器的耦合连接。调节电位器阻值即可平滑地调节耦合忆容器的耦合强度。本发明所述的电路不但可以用于展现单个悬浮型忆容器的动态和稳态特性，还可以用于从硬件上模拟两个或多个忆容器之间的磁链耦合关系，便于从实验上研究耦合型忆容器、以及与其他电路元件间的串并联动态电路特性。此耦合型忆容器模拟器易于拓展成多耦合型忆容器模拟器，代替耦合型忆容器用于非易失性存储器、神经网络、逻辑运算等新型电路和功能电路设计开发。
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