公开(公告)号：CN118343684B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410561684.6

申请日：2024-05-08

申请人： 中国矿业大学

发明人： 吴震 ,  王小寒 ,  郭立童

IPC分类号： C01B19/00 ,  H10N10/852 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明属于半导体相变存储材料技术领域，具体涉及一种一维SnSe螺旋位错纳米线及其制备方法和应用。所述制备方法采用以下步骤：将SnSe粉末置于管式炉中心区域，将基底材料置于下游低温端，调节c/c0为1.2‑1.4，催化剂为Au纳米颗粒，进行加热反应，得到所述一维SnSe螺旋位错纳米线。本发明通过化学气相沉积法实现一维范德华SnSe螺旋位错纳米线形貌，结构，尺寸和角度的可控生长；所述制备方法具有工艺简单，操作易控制，所用试剂相对价廉及绿色环保等优点；所述SnSe螺旋位错纳米线具有优越的电学、光学性质，同时还具有热学性能优良、环境友好、化学性质稳定且成本低等特点，在红外光电仪器，记忆切换开关和热电冷却材料等领域存在着巨大的应用价值。

公开(公告)号：CN118343684A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410561684.6

申请日：2024-05-08

申请人： 中国矿业大学

发明人： 吴震 ,  王小寒 ,  郭立童

IPC分类号： C01B19/00 ,  H10N10/852 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明属于半导体相变存储材料技术领域，具体涉及一种一维SnSe螺旋位错纳米线及其制备方法和应用。所述制备方法采用以下步骤：将SnSe粉末置于管式炉中心区域，将基底材料置于下游低温端，调节c/c0为1.2‑1.4，催化剂为Au纳米颗粒，进行加热反应，得到所述一维SnSe螺旋位错纳米线。本发明通过化学气相沉积法实现一维范德华SnSe螺旋位错纳米线形貌，结构，尺寸和角度的可控生长；所述制备方法具有工艺简单，操作易控制，所用试剂相对价廉及绿色环保等优点；所述SnSe螺旋位错纳米线具有优越的电学、光学性质，同时还具有热学性能优良、环境友好、化学性质稳定且成本低等特点，在红外光电仪器，记忆切换开关和热电冷却材料等领域存在着巨大的应用价值。

公开(公告)号：CN118685151A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410699723.9

申请日：2024-05-31

申请人： 中国矿业大学

发明人： 吴震 ,  王小寒 ,  郭立童

IPC分类号： C09K5/14 ,  C02F1/14 ,  C02F1/04 ,  F24S70/20 ,  C02F103/08

摘要： 本发明属于污水处理技术领域，尤其涉及一种用于污水处理复合煤渣及其制备方法，其中在制备方法中包括以下步骤：步骤一：将燃烧过的煤渣固废收集压制成型后烧结成煤渣块；步骤二：将煤渣块浸入光热转换剂溶液中，吸附完成后干燥固结成复合煤渣。通过控制复合煤渣的密度、孔隙率及其吸附的光热转换剂量，能够保证复合煤渣可以用于一般工业污水处理，并且解决了煤渣固废回收的问题，具有产业上的实际利用价值。