公开(公告)号：CN101654366B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200910092906.X

申请日：2009-09-10

申请人： 中国矿业大学(北京)

发明人： 周肃 ,  韩敏芳 ,  刘泽 ,  雷泽 ,  于立安 ,  彭苏萍

IPC分类号： C04B35/63 ,  C04B35/50 ,  C04B35/48 ,  C04B35/10 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/486 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/111 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781

摘要： 本发明公开了一种复合助烧剂及其用于低温制备纳米晶陶瓷的方法，复合助烧剂包括烧结助剂和晶粒生长抑制剂，烧结助剂包括Li、Na、Ga、In、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Bi等一种或多种金属的盐或氧化物；晶粒生长抑制剂包括Mg、Ca、Al、Zr、Y等一种或多种金属的盐或氧化物。通过向陶瓷原料中添加上述的复合助烧剂烧结获得纳米晶陶瓷，烧结温度不高于900℃。可以在低温下烧结获得致密纳米晶粒陶瓷材料。

公开(公告)号：CN101654366A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910092906.X

申请日：2009-09-10

申请人： 中国矿业大学(北京)

发明人： 周肃 ,  韩敏芳 ,  刘泽 ,  雷泽 ,  于立安 ,  彭苏萍

IPC分类号： C04B35/63 ,  C04B35/50 ,  C04B35/48 ,  C04B35/10 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/486 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/111 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781

摘要： 本发明公开了一种复合助烧剂及其用于低温制备纳米晶陶瓷的方法，复合助烧剂包括烧结助剂和晶粒生长抑制剂，烧结助剂包括Lu、Na、Ga、In、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Bi等一种或多种金属的盐或氧化物；晶粒生长抑制剂包括Mg、Ca、Al、Zr、Y等一种或多种金属的盐或氧化物。通过向陶瓷原料中添加上述的复合助烧剂烧结获得纳米晶陶瓷，烧结温度不高于900℃。可以在低温下烧结获得致密纳米晶粒陶瓷材料。