公开(公告)号：CN116124291A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310404693.X

申请日：2023-04-17

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 陈召远 ,  王宇昂 ,  李杨 ,  蔡文奇 ,  杨孟 ,  廖胜凯 ,  印娟 ,  任继刚 ,  彭承志 ,  潘建伟

IPC: G01J4/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硅光芯片的偏振测量系统和偏振测量方法，偏振测量系统包括：硅光芯片以及光电探测器。硅光芯片包括：硅衬底；二氧化硅层，形成于硅衬底上；二维光栅耦合器，形成于二氧化硅层上；第一相位调制装置，形成于二氧化硅层上；第一多模干涉仪，形成于二氧化硅层上；第二相位调制装置，形成于二氧化硅层上；第二多模干涉仪，形成于二氧化硅层上；一维光栅耦合器，形成于二氧化硅层上。其中，硅光芯片用于将输入的目标光信号转换为偏振态光信号；光电探测器，用于对输出的光信号进行偏振态测量。本发明公开的基于硅光芯片的偏振测量系统在提高了偏振态测量速率的同时也保证光学元件具有较高的集成度。

公开(公告)号：CN116124291B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310404693.X

申请日：2023-04-17

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 陈召远 ,  王宇昂 ,  李杨 ,  蔡文奇 ,  杨孟 ,  廖胜凯 ,  印娟 ,  任继刚 ,  彭承志 ,  潘建伟

IPC: G01J4/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硅光芯片的偏振测量系统和偏振测量方法，偏振测量系统包括：硅光芯片以及光电探测器。硅光芯片包括：硅衬底；二氧化硅层，形成于硅衬底上；二维光栅耦合器，形成于二氧化硅层上；第一相位调制装置，形成于二氧化硅层上；第一多模干涉仪，形成于二氧化硅层上；第二相位调制装置，形成于二氧化硅层上；第二多模干涉仪，形成于二氧化硅层上；一维光栅耦合器，形成于二氧化硅层上。其中，硅光芯片用于将输入的目标光信号转换为偏振态光信号；光电探测器，用于对输出的光信号进行偏振态测量。本发明公开的基于硅光芯片的偏振测量系统在提高了偏振态测量速率的同时也保证光学元件具有较高的集成度。