基于弯晶耦合的背光X射线衍射成像装置

    公开(公告)号:CN115791855A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211419657.2

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 一种基于弯晶耦合的背光X射线衍射成像装置,包括高功率脉冲激光源、金属靶、球面弯晶、双焦点光子筛和探测器,本发明利用球面弯晶会聚高功率脉冲激光源加载于金属靶上激发产生的发散X射线,对被测物体进行X射线背光照明,之后经双焦点光子筛衍射成像,由探测器接收放大的成像结果。本发明相较于现有的背光衍射成像,可以将成像系统中的光通量提高三个数量级,增加了成像系统的探测效率,并且可以实现二级变焦,使得实验探测中改变成像放大倍数变得简单。结合背光衍射成像具有的高时间/空间分辨、大视场的成像特点,本发明可应用于等离子体流体力学不稳定性成像、超快生物活细胞成像等研究领域。

    展宽高功率强激光频谱的方法

    公开(公告)号:CN111509559B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202010254129.0

    申请日:2020-04-02

    Abstract: 一种展宽高功率强激光频谱的方法。本发明的具体实施涉及高功率强激光光源以及其产生的光在稀薄等离子体中的传输特性:用于激光自调制的等离子体密度在0.001倍至0.02倍临界密度之间;入射的泵浦光峰值强度在近相对论强度附近。本发明针对所需光强、带宽大小来设计泵浦光峰值强度、等离子体密度、靶的位置,将泵浦光在最佳强度附近入射气体中进行高效率的频率调制。该方法,带宽最大能展宽至100%中心频率以上,可应用于激光惯性约束核聚变的驱动光设计中,是能有效抑制激光等离子体参量不稳定的方案,可以提升激光与靶的耦合效率并减少超热电子的产生。

    展宽高功率强激光频谱的方法

    公开(公告)号:CN111509559A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010254129.0

    申请日:2020-04-02

    Abstract: 一种展宽高功率强激光频谱的方法。本发明的具体实施涉及高功率强激光光源以及其产生的光在稀薄等离子体中的传输特性:用于激光自调制的等离子体密度在0.001倍至0.02倍临界密度之间;入射的泵浦光峰值强度在近相对论强度附近。本发明针对所需光强、带宽大小来设计泵浦光峰值强度、等离子体密度、靶的位置,将泵浦光在最佳强度附近入射气体中进行高效率的频率调制。该方法,带宽最大能展宽至100%中心频率以上,可应用于激光惯性约束核聚变的驱动光设计中,是能有效抑制激光等离子体参量不稳定的方案,可以提升激光与靶的耦合效率并减少超热电子的产生。

Patent Agency Ranking