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发明公开
一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法审中-公开

公开(公告)号：CN118880463A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411185614.1

申请日：2024-08-27

申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所

发明人： 赛青林 , 齐红基 , 卜予哲 , 贾宁 , 潘明艳 , 王斌

IPC分类号： C30B29/16 , C30B15/34

摘要： 本发明公开一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法。所述生长装置包括坩埚和位于所述坩埚中的模具，所述生长装置还包括：发热体，所述发热体位于所述坩埚外围，所述发热体的上边缘高于所述坩埚的上边缘10‑15mm；盖板，所述盖板盖于所述发热体上，所述盖板的中心处设置有通孔。本发明采用了一定的后热设计和大间距的隔热盖板，并结合特定的功率控制工艺，巧妙利用了氧化镓的结晶习性，实现了可控的分步放肩过程。放肩过程分步可控，避免了宽厚二维随机放肩，单晶成品率高。所有流程单次连续完成，流程简单。通常放肩三角部作为不可加工部分，会造成原料浪费，本发明这种方法大大降低了原料的浪费率。