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发明公开
一种半导体外延层电阻率的测量方法审中-实审

公开(公告)号：CN118130905A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410130175.8

申请日：2024-01-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 , 俞涛 , 程新红 , 俞跃辉

IPC: G01R27/08 , H01L21/66 , G01R35/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体外延层电阻率的测量方法，包括以下步骤：获取待测外延片各个外延层的电阻率；根据所述待测外延片第一外延层的电阻率计算所述第一外延层的耗尽区厚度，所述第一外延层为最靠近衬底的外延层；利用所述第一外延层的耗尽区厚度对所述待测外延片各个外延层的电阻率进行修正。本发明能够准确测量与衬底掺杂异型的外延片各外延层的电阻率。

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