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公开(公告)号：CN114899302A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210457555.3
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种拐弯区加厚型SNSPD器件的制备方法，基于电子束灰度曝光，形成具有高度差的电子束抗蚀掩膜，以作为超导薄膜的图形掩模，然后通过具有明显刻蚀选择比的刻蚀工艺进行图形转移，形成包括直线区和拐弯区的超导纳米线，且拐弯区对应的超导纳米线的厚度大于直线区对应的超导纳米线的厚度，从而制备拐弯区加厚型SNSPD器件，较大程度地抑制电流拥挤效应，且具有较高的临界电流和低暗计数率等优势，显著提高SNSPD器件的性能。本发明仅通过一步电子束曝光和一步图形转移，即可实现拐角区加厚的超导纳米线的制备，简化了制备工艺流程，且可提升拐弯区加厚型SNSPD器件的性能及制备良率。
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公开(公告)号：CN115015309B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210879520.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种胶型侧壁形貌表征方法，该方法包括：提供待测样品，待测样品包括衬底与位于衬底上方的胶层，胶层中设有图形化的开口；于待测样品的预设区域进行切割以显露特征结构的纵截面；采用图像采集装置获取特征结构的纵截面图像与表面图像；基于表面图像获取待侧样品的特征尺寸，基于纵截面图像获取待侧样品的胶层厚度及开口的纵截面面积值，基于特征尺寸、胶层厚度及开口的纵截面面积值表征胶型侧壁形貌。本发明的胶型侧壁形貌表征方法基于常规图像采集装置测试即可实现，对图像测量的误差具有较高的宽容度；并且，能够实现对高深宽比胶型结构侧壁形貌的高效、准确的表征，能够直观反映各种特征尺寸、各种深宽比范围的胶型侧壁形貌。
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公开(公告)号：CN114899302B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210457555.3
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种拐弯区加厚型SNSPD器件的制备方法，基于电子束灰度曝光，形成具有高度差的电子束抗蚀掩膜，以作为超导薄膜的图形掩模，然后通过具有明显刻蚀选择比的刻蚀工艺进行图形转移，形成包括直线区和拐弯区的超导纳米线，且拐弯区对应的超导纳米线的厚度大于直线区对应的超导纳米线的厚度，从而制备拐弯区加厚型SNSPD器件，较大程度地抑制电流拥挤效应，且具有较高的临界电流和低暗计数率等优势，显著提高SNSPD器件的性能。本发明仅通过一步电子束曝光和一步图形转移，即可实现拐角区加厚的超导纳米线的制备，简化了制备工艺流程，且可提升拐弯区加厚型SNSPD器件的性能及制备良率。
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公开(公告)号：CN115015309A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210879520.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种胶型侧壁形貌表征方法，该方法包括：提供待测样品，待测样品包括衬底与位于衬底上方的胶层，胶层中设有图形化的开口；于待测样品的预设区域进行切割以显露特征结构的纵截面；采用图像采集装置获取特征结构的纵截面图像与表面图像；基于表面图像获取待侧样品的特征尺寸，基于纵截面图像获取待侧样品的胶层厚度及开口的纵截面面积值，基于特征尺寸、胶层厚度及开口的纵截面面积值表征胶型侧壁形貌。本发明的胶型侧壁形貌表征方法基于常规图像采集装置测试即可实现，对图像测量的误差具有较高的宽容度；并且，能够实现对高深宽比胶型结构侧壁形貌的高效、准确的表征，能够直观反映各种特征尺寸、各种深宽比范围的胶型侧壁形貌。
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