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公开(公告)号：CN116209343A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310349785.2
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法，所述场效应超导约瑟夫森结器件包括：衬底、桥结左岸电极、桥结右岸电极、绝缘沟道、纳米桥、绝缘介质层及电压极；所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极及所述桥结右岸电极相互隔离；所述纳米桥横跨所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极与所述桥结右岸电极连接；所述绝缘介质层包覆所述纳米桥；所述电压极位于所述绝缘介质层上侧，向所述纳米桥施加调制电场。本发明提供的场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法能够解决现有约瑟夫森场结效应管临界电流过低，工作温度过低，无法应在超导集成电路中的问题。
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